[發明專利]微電子構件和相應的制造方法

有效

• 申請號: 201310583569.0
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN103663359B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: C·舍林;A·法伊
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;B81B3/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 梁冰,楊國治

1.微電子構件，具有：

一半導體襯底（1；la），其具有一正面（O）和一背面（R）；

一在所述襯底（1）的正面（O）上的能彈性偏轉的質量裝置（M）；

至少一個設置在所述質量裝置（M）中或上的源區（10；10'）；

至少一個設置在所述質量裝置（M）中或上的漏區（D1-D4；D1'-D10'）；以及

至少一個在所述源區（10；10'）和所述漏區（D1-D4；D1'-D10'）上面懸掛在一印制電路系統（LBA）上的柵區（20；20'），所述柵區通過一間隙（100）與所述質量裝置（M）間隔開；

其中，所述印制電路系統（LBA）這樣地在所述襯底（1）的正面（O）上錨固在所述質量裝置（M）的周邊（P）中，使得所述柵區（20；20'）在所述質量裝置（M）偏轉的情況下保持固定。

2.按照權利要求1所述的微電子構件，其中，所述印制電路系統（LBA）具有多個嵌入一絕緣層（3）中的印制電路平面（LB1-LB4），所述印制電路平面經由通孔（V）彼此垂直連接，并且其中，所述柵區（20；20'）懸掛在所述印制電路平面（LB1-LB4）中的至少一個印制電路平面上。

3.按照權利要求2所述的微電子構件，其中，用于所述漏區（D1-D4；D1'-D10'）和/或所述源區（10；10）的電聯接導線（A1-A8）在所述質量裝置（M）上面的第一多晶硅層（P1）中絕緣地引導，并且其中，所述漏區（D1-D4；D1'-D10'）和/或所述源區（10；10'）經由各自的接觸橋（BK1-BK8）與所屬的聯接導線（A1-A8）連接。

4.按照權利要求3所述的微電子構件，其中，所述接觸橋（BK1-BK8）布置在所述絕緣層（3）相應的孔（L2、L3）中。

5.按照權利要求1到4中任一項所述的微電子構件，其中，設置一中央源區（10 ；10'），并且其中，設置多個與所述中央源區間隔開的漏區（D1-D4；D1'-D10'），從而在所述質量裝置（M）偏轉的情況下能夠產生相應的晶體管的差動的操控。

6.按照權利要求1到4中任一項所述的微電子構件，其中，所述質量裝置（M）經由一集成在所述襯底（1）中的彈簧裝置（F1、F2）與所述周邊（P）連接。

7.按照權利要求5所述的微電子構件，其中，所述柵區（20；20'）具有一中央區域（20'a），從所述中央區域伸出多個指狀物（20'b），其中，每個指狀物（20'b）都形成一相應的晶體管的柵極。

8.按照權利要求7所述的微電子構件，其中指狀物（20'b）平行延伸，并且彼此具有第一距離（P1），并且其中，相應的平行的晶體管溝道（K1'-K10'）具有一與所述第一距離（P1）不同的第二距離（P2）。

9.按照權利要求2所述的微電子構件，其中，所述柵區（20；20'）在第二多晶硅層（P2）中構成，并且電聯接到所述印制電路系統（LBA）上。

10.按照權利要求1到4中任一項所述的微電子構件，其中，在所述漏區（D1-D4；D1'-D10'）和/或所述源區（10；10'）和/或溝道區（K1-K4）上設置另一絕緣層（2）。

11.用于制造微電子構件的方法，具有下列步驟：

提供一半導體襯底（1；la），其具有正面（O）和背面（R）；

在所述襯底（1）的正面（O）上形成一能彈性偏轉的質量裝置（M）；

形成至少一個設置在所述質量裝置（M）中或上的源區（10；10'）；

形成至少一個設置在所述質量裝置（M）中或上的漏區（D1-D4；D1'-D10'）；以及

形成一在所述源區（10；10'）和所述漏區（D1-D4；D1'-D10'）上面懸掛在一印制電路系統（LBA）上的柵區（20；20'），所述柵區通過一間隙（100）與所述質量裝置（M）間隔開；

其中，所述印制電路系統（LBA）這樣地在所述襯底（1）的正面（O）上錨固在所述質量裝置（M）的周邊（P）中，使得在所述質量裝置（M）偏轉時，所述柵區（20；20）保持固定。