[發明專利]晶圓處理方法

在審

• 申請號: 201310582750.X
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN104658880A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 陳怡駿;游寬結;華宇;侯元琨;張瑋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶圓處理方法。

背景技術

在半導體制程中，能夠將表面已形成有半導體器件的晶圓（Wafer）切割為多個芯片，之后再對各個芯片進行封裝，以形成所需的集成電路或芯片器件。以晶圓級芯片尺寸封裝（Wafer?Level?Chip?Size?Packaging，WLCSP）技術為例，對晶圓進行封裝測試后再切割得到單個成品芯片，封裝后的芯片尺寸與裸片完全一致。經晶圓級芯片尺寸封裝技術封裝后的芯片尺寸能夠達到高度微型化，芯片成本隨著芯片尺寸的減小和晶圓尺寸的增加而顯著降低。

由于在晶圓的形成過程中，由于剛切下來的晶片外邊緣很鋒利，尤其是硅單晶又是脆性材料，為避免邊角崩裂影響晶片強度、破壞晶片表面光潔和對后工序帶來污染顆粒，會對晶圓進行圓邊（Edge?Profiling）工藝，以對晶圓的邊緣的形狀和外徑尺寸修整，使得晶圓的邊緣呈圓角部分，不適宜形成半導體結構。

請參考圖1，圖1是晶圓的俯視結構示意圖，包括：器件區13、以及包圍所述器件區13的邊緣區14。所述器件區13包括若干呈整列排列的芯片11、以及位于芯片11之間的切割道12；其中，芯片11表面或內部均形成有半導體結構，以實現一定的芯片功能，所述切割道12既是對晶圓進行切割的區域。所述邊緣區14即進行過圓邊工藝的區域，由于所述邊緣區14不適宜形成半導體結構，因此在對所述晶圓進行切割以形成若干芯片之前，需要對所述晶圓進行修邊（Trimming），去除所述邊緣區14，以便剩下器件區13進行切割和封裝。

然而，現有的修邊工藝會對晶圓產生損傷，甚至破壞器件區已形成的半導體結構，使得芯片制造的成平率下降，成本提高。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種晶圓處理方法，減少修邊工藝對晶圓的破壞，提高晶圓芯片區域的利用率。

為解決上述問題，本發明提供一種晶圓處理方法，包括：提供承載基底和待處理基底，所述待處理基底的第一表面鍵合于所述承載基底表面，且所述待處理基底和承載基底的邊緣重合，所述待處理基底的邊緣具有標記區，所述待處理基底標記區內的第一表面具有第一標記溝槽，所述第一標記溝槽具有到所述待處理基底中心距離最近的第一側壁，所述第一側壁到所述待處理基底邊界具有第一距離，所述第一標記溝槽具有到所述待處理基底邊界距離最近的第二側壁，所述第二側壁到所述待處理基底邊界具有第二距離；對所述待處理基底進行第一修邊工藝，使所述待處理基底的半徑減小第三距離，暴露出部分承載基底，并去除部分第一標記溝槽，所述第三距離小于或等于第一距離、大于或等于第二距離；在第一修邊工藝之后，對所述待處理基底進行第二修邊工藝，去除標記區內的部分待處理基底以去除剩余的第一標記溝槽，并形成第三側壁，且暴露出部分承載基底，所述第三側壁到承載基底邊緣的最大距離大于第一距離；在第二修邊工藝之后，對所述待處理基底的第二表面進行減薄，所述第二表面與第一表面相對。

可選的，鍵合所述承載基底和待處理基底的工藝包括：將所述待處理基底的第一表面壓合于所述承載基底表面，所述待處理基底第一表面的第一標記溝槽與承載基底構成空腔；進行熱退火工藝，使所述待處理基底的第一表面熔接于所述承載基底表面，且所述空腔的體積增大。

可選的，所述承載基底具有第一表面，所述待處理基底鍵合于所述承載基底的第一表面，所述承載基底的第一表面具有第二標記溝槽，所述第二標記溝槽在承載基底內的位置、與第一標記溝槽在待處理基底內的位置相同，所述第一標記溝槽與第二標記溝槽構成空腔。

可選的，所述第二標記溝槽底部到第一標記溝槽底部的距離為4.5微米～5.5微米。

可選的，所述第二修邊工藝為：沿貫穿所述待處理基底的直線對所述待處理基底進行切割，直至暴露出承載基底為止，而切割形成的側壁為第三側壁。

可選的，所述第二修邊工藝為：沿貫穿所述待處理基底的曲線對所述待處理基底進行切割，所述曲線包括弧線、折線，直至暴露出承載基底為止，而切割形成的側壁為第三側壁。

可選的，所述第一距離為3.6毫米～4毫米，所述第一側壁到第二側壁之間的距離為1.6毫米～2毫米，所述第三距離為2.98毫米～3.02毫米，所述第三側壁到承載基底邊緣的最大距離為3.8毫米～4毫米。

可選的，所述第一修邊工藝還去除部分承載基底，使暴露出的承載基底表面低于所述承載基底與待處理基底接觸的表面；所述第二修邊工藝還去除部分承載基底，使暴露出的承載基底表面低于所述承載基底與待處理基底接觸的表面。