[發(fā)明專利]晶圓處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310582750.X
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN104658880A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設計）人: 陳怡駿;游寬結(jié);華宇;侯元琨;張瑋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓處理方法，其特征在于，包括：

提供承載基底和待處理基底，所述待處理基底的第一表面鍵合于所述承載基底表面，且所述待處理基底和承載基底的邊緣重合，所述待處理基底的邊緣具有標記區(qū)，所述待處理基底標記區(qū)內(nèi)的第一表面具有第一標記溝槽，所述第一標記溝槽具有到所述待處理基底中心距離最近的第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁到所述待處理基底邊界具有第一距離，所述第一標記溝槽具有到所述待處理基底邊界距離最近的第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁到所述待處理基底邊界具有第二距離；

對所述待處理基底進行第一修邊工藝，使所述待處理基底的半徑減小第三距離，暴露出部分承載基底，并去除部分第一標記溝槽，所述第三距離小于或等于第一距離、大于或等于第二距離；

在第一修邊工藝之后，對所述待處理基底進行第二修邊工藝，去除標記區(qū)內(nèi)的部分待處理基底以去除剩余的第一標記溝槽，并形成第三側(cè)壁，且暴露出部分承載基底，所述第三側(cè)壁到承載基底邊緣的最大距離大于第一距離；

在第二修邊工藝之后，對所述待處理基底的第二表面進行減薄，所述第二表面與第一表面相對。

2.如權利要求1所述晶圓處理方法，其特征在于，鍵合所述承載基底和待處理基底的工藝包括：將所述待處理基底的第一表面壓合于所述承載基底表面，所述待處理基底第一表面的第一標記溝槽與承載基底構成空腔；進行熱退火工藝，使所述待處理基底的第一表面熔接于所述承載基底表面，且所述空腔的體積增大。

3.如權利要求2所述晶圓處理方法，其特征在于，所述承載基底具有第一表面，所述待處理基底鍵合于所述承載基底的第一表面，所述承載基底的第一表面具有第二標記溝槽，所述第二標記溝槽在承載基底內(nèi)的位置、與第一標記溝槽在待處理基底內(nèi)的位置相同，所述第一標記溝槽與第二標記溝槽構成空腔。

4.如權利要求3所述晶圓處理方法，其特征在于，所述第二標記溝槽底部到第一標記溝槽底部的距離為4.5微米～5.5微米。

5.如權利要求1所述晶圓處理方法，其特征在于，所述第二修邊工藝為：沿貫穿所述待處理基底的直線對所述待處理基底進行切割，直至暴露出承載基底為止，而切割形成的側(cè)壁為第三側(cè)壁。

6.如權利要求1所述晶圓處理方法，其特征在于，所述第二修邊工藝為：沿貫穿所述待處理基底的曲線對所述待處理基底進行切割，所述曲線包括弧線、折線，直至暴露出承載基底為止，而切割形成的側(cè)壁為第三側(cè)壁。

7.如權利要求1所述晶圓處理方法，其特征在于，所述第一距離為3.6毫米～4毫米，所述第一側(cè)壁到第二側(cè)壁之間的距離為1.6毫米～2毫米，所述第三距離為2.98毫米～3.02毫米，所述第三側(cè)壁到承載基底邊緣的最大距離為3.8毫米～4毫米。

8.如權利要求1所述晶圓處理方法，其特征在于，所述第一修邊工藝還去除部分承載基底，使暴露出的承載基底表面低于所述承載基底與待處理基底接觸的表面；所述第二修邊工藝還去除部分承載基底，使暴露出的承載基底表面低于所述承載基底與待處理基底接觸的表面。

9.如權利要求1所述晶圓處理方法，其特征在于，在所述減薄工藝之后，所述待處理基底的厚度為6微米～8微米。

10.如權利要求1所述晶圓處理方法，其特征在于，所述待處理基底的第一表面形成有半導體器件。