[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310581642.0
• 申請(qǐng)日: 2013-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN103594475A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 唐棕
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;馮麗欣

1.一種半導(dǎo)體器件，包括:

第一區(qū)域，第一區(qū)域包括堆疊的多個(gè)器件單元，所述多個(gè)器件單元的相鄰器件單元由層間絕緣層隔開，并且每一個(gè)器件單元包括相應(yīng)的柵極導(dǎo)體；以及

第二區(qū)域，第二區(qū)域與第一區(qū)域鄰接，所述層間絕緣層和所述柵極導(dǎo)體從第一區(qū)域延伸至第二區(qū)域，第二區(qū)域包括分別將柵極導(dǎo)體與導(dǎo)線相連接的導(dǎo)電通道，

其中，所述第二區(qū)域還包括用于支撐所述層間絕緣層和所述柵極導(dǎo)體的支撐柱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)器件單元包括公共的垂直溝道和公共的芯部絕緣層，并且所述垂直溝道圍繞所述芯部絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐柱包括所述垂直溝道和所述芯部絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐柱由非晶硅和多晶硅中的一種組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐柱中相鄰的支撐柱之間的距離小于層間絕緣層厚度的100倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件是NAND存儲(chǔ)器，并且所述多個(gè)器件單元中的至少一些器件單元形成實(shí)際的存儲(chǔ)單元串，所述多個(gè)器件單元中的至少另外一些器件單元形成假存儲(chǔ)單元串，所述支撐柱是假存儲(chǔ)單元串。

7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域包括堆疊的多個(gè)器件單元，第二區(qū)域包括用于外部接觸的導(dǎo)電通道，所述方法包括：

形成多個(gè)犧牲層和多個(gè)層間絕緣層交替堆疊的疊層；

形成穿過所述疊層中的各個(gè)層的開口；

在第一區(qū)域的開口內(nèi)形成垂直溝道；

在第二區(qū)域的開口內(nèi)形成支撐柱；

去除所述多個(gè)犧牲層，使得所述多個(gè)層間絕緣層懸空，并且由所述垂直溝道和所述支撐柱支撐，在相鄰的層間絕緣層之間，暴露所述垂直溝道的一部分表面；

在所述垂直溝道的所述一部分表面上形成中間電介質(zhì)層；以及

在相鄰的層間絕緣層之間形成柵極導(dǎo)體，所述柵極導(dǎo)體與所述垂直溝道之間由所述中間電介質(zhì)層隔開。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述支撐柱與所述垂直溝道同時(shí)形成，并且具有相同的結(jié)構(gòu)和材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述支撐柱與所述垂直溝道獨(dú)立地形成，并且具有相同或不同的結(jié)構(gòu)和/或材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述支撐柱由非晶硅和多晶硅中的一種組成。