[發明專利]一種制備晶體硅太陽能電池的方法

無效

• 申請號: 201310578433.0
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103603053A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 黃海冰;王麗春;王建波;呂俊;趙建華;王艾華
• 申請（專利權）人: 中電電氣（南京）光伏有限公司
• 主分類號: C30B31/18
• 分類號: C30B31/18;C30B29/06;H01L31/18
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳建和

1.一種制備晶體硅太陽能電池的方法，同時形成N型和P型摻雜結，其特征是步驟如下：1）先實施P型摻雜即硼摻雜：采用離子注入在硅片的某個表面或某些區域實施硼摻雜、采用CVD、PVD或ALD在硅片的某一個表面預沉積含硼的氧化硅；或采用絲網印刷含硼的氧化硅的漿料；2）對硼摻雜進行高溫退火，進行摻雜再分布并在降溫過程中進行N型摻雜，經過一次退火工藝實現P型和N型的優化摻雜分布：硼摻雜后硅片放置到高溫擴散爐中退火，以200-800℃之間的某個溫度進爐，首先利用升溫階段和在950-1100℃之間的某個溫度值的恒溫退火進行硼摻雜的再分布，氣氛是氮氣；然后降溫到900-800℃之間的某個溫度值的時候進行N型摻雜即磷摻雜，磷摻雜時開始通入POCl3和氧氣，進行磷硅玻璃的預沉積，隨后再開始進行磷摻雜的再分布：保持在溫度860±30℃，時間10－60分鐘，至此完成N型摻雜的實現。

2.根據權利要求1所述的制備晶體硅太陽能電池的方法，其特征是為得到硅太陽能電池選擇性發射極結構，對步驟1）之后硼摻雜的沉積掩膜層進行圖案化處理，2-a）如果步驟1）中是采用離子注入摻雜，在步驟1）之后采用CVD或PVD或ALD在實施P型摻雜的表面沉積一層SiOx或者SiOxNy或者SiNx掩膜材料；如果步驟1）中是采用CVD、PVD或ALD的硼摻雜，則緊接著再沉積一層SiOx；2-b），在硼摻雜上面的掩膜材料上進行圖案化處理，圖案化處理的方法采用激光消融刻蝕、等離子刻蝕或者化學刻蝕的方法。

3.根據權利要求1所述的制備晶體硅太陽能電池的方法，其特征是，經硅片的表面織構化即正面絨面處理后再實施P型摻雜即硼摻雜。

4.根據權利要求1所述的制備晶體硅太陽能電池的方法，其特征是，利用管式高溫擴散爐對P型摻雜高溫退火和在降溫中實施N型摻雜的具體步驟：在管式擴散對硼摻雜進行高溫再分布退火，以700℃進爐，升溫至溫度是950-1100℃的某個溫度，升溫速率是7-15℃/分鐘，氣氛是氮氣氣氛；然后在該溫度下進行恒溫的氮氣退火，時間是30-60分鐘，在此期間完成P型摻雜的高溫退火再分布；隨后以5-10℃/分鐘的降溫速率將溫度降低到830-890℃，開始通POCl3引入磷摻雜：氣體氣氛是三氯氧磷（POCl3），氧氣和氮氣，溫度是830-890℃，時間是10-60分鐘；隨后降溫到800℃，結束熱處理程序，隨爐冷卻后出爐。

5.根據權利要求1－4之一所述的制備晶體硅太陽能電池的方法應用于制備背接觸電池（IBC）、雙面電池或PERT/PERL電池。