[發明專利]鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光材料、制備方法及其應用

在審

• 申請號: 201310577972.2
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號: CN104650879A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/68
• 分類號: C09K11/68;H01L33/50;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光材料，其特征在于：其化學式為MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基質，Ce³⁺離子是激活元素，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素，鍶元素和鋇元素中的一種。

2.根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于：所述x為0.02。

3.一種鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據MeMo₂S₈:xCe³⁺各元素的化學計量比稱取MeS，MoS₃和CeS₂粉體并混合均勻，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素，鍶元素和鋇元素中的一種；及

將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時即得到化學式為MeMo₂S₈:xCe³⁺的鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光材料。

4.一種鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光薄膜，其特征在于，該鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基質，Ce³⁺離子是激活元素，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素，鍶元素和鋇元素中的一種。

5.一種鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據MeMo₂S₈:xCe³⁺各元素的化學計量比稱取MeS，MoS₃和CeS₂粉體并混合均勻，將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時得到靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素，鍶元素和鋇元素中的一種；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整磁控濺射鍍膜工藝參數為：基靶間距為50mm～100mm，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4.5Pa，工作氣體的流量為15sccm～30sccm，襯底溫度為250℃～750℃，接著進行制膜，得到化學式為MeMo₂S₈:xCe³⁺的鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光薄膜。

6.根據權利要求5所述的鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟：將所述鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光薄膜于500℃～800℃下真空退火處理1h～3h。

7.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光材料，該鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光材料的化學式為MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基質，Ce³⁺離子是激活元素，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素，鍶元素和鋇元素中的一種。

8.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光材料，該鈰摻雜硫代鉬酸鹽發光材料的化學式為MeMo₂S₈:xCe³⁺，MeMo₂S₈是基質，Ce³⁺離子是激活元素，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素，鍶元素和鋇元素中的一種；

在所述發光層上形成陰極。