[發(fā)明專利]一種多晶硅薄膜基板制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310573192.0 | 申請日: | 2013-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN103560077A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉德明 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;C30B30/04 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多晶 薄膜 制作方法 | ||
1.一種多晶硅薄膜基板制作方法,其特征在于,包括:
S1在基板上制備非晶硅薄膜;
S2將S1處理過的基板穿過高頻線圈。
2.如權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,在所述步驟S2之前還包括:在所述非晶硅薄膜上制備金屬薄膜;
在所述步驟S2之后還要包括:
S3將金屬薄膜去除。
3.如權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,所述步驟S1還包括:在非晶硅薄膜中摻入金屬離子。
4.如權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,在所述步驟S1之前還包括:在所述基板上制備緩沖層。
5.如權(quán)利要求4所述方法,其特征在于,所述步驟S1還包括:
在非晶硅薄膜中摻入金屬離子,然后在所述非晶硅薄膜上制備金屬薄膜;
在所述步驟S2之后還要包括:
S3將金屬薄膜去除。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310573192.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





