[發明專利]一種鍺烯二維原子晶體材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201310565943.4 | 申請日： | 2013-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN103643287A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發明（設計）人： | 王業亮;李林飛;高鴻鈞 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | C30B23/02 | 分類號： | C30B23/02;C30B33/02;C01G17/00 |
| 代理公司： | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡劍輝 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 二維 原子 晶體 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鍺烯二維原子晶體材料，其特征在于，鍺原子成六角蜂窩狀排布，并在二維平面內周期性擴展。
2.一種鍺烯二維原子晶體材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
1）在真空環境下，將適量鍺材料蒸發沉積到過渡金屬基底上；
2）對整個樣品進行退火處理，以使覆蓋在基底表面的鍺原子產生相互作用，形成六角蜂窩狀排布的二維有序的周期性結構，從而獲得鍺烯二維原子晶體材料。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所用的鍺是通過電子束蒸發的方法沉積到過渡金屬基底上的。
4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，用于生長鍺烯二維原子晶體材料的過渡金屬基底為鉑的（111）面。
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，進行鍺烯二維原子晶體材料生長的退火溫度為350℃～500℃。
6.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述鍺形成了周期為1.2nm的超結構，該周期性超結構可以被掃描隧道顯微鏡所和低能電子衍射表征。
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