[發明專利]功率半導體裝置用鋁合金細線

有效

• 申請號: 201310565799.4
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103911526A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 天野裕之;市川司
• 申請（專利權）人: 田中電子工業株式會社
• 主分類號: C22C21/00
• 分類號: C22C21/00;H01L23/49
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王彥慧

1.一種功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

是由鐵Fe、硅Si及剩余部分構成且用于與半導體元件的鋁墊進行超聲波接合的鋁合金細線，所述剩余部分為高純度的鋁，

所述鋁合金細線是由0.01～0.2質量％的鐵Fe、1～20質量ppm的硅Si及剩余部分構成的Al合金，所述剩余部分為純度99.997質量％以上的鋁Al，

所述鋁合金細線是Fe的固溶量為0.01～0.06％、Fe的析出量為Fe的固溶量的7倍以下、且平均晶體粒徑為6～12μm的微細組織。

2.如權利要求1所述的功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

所述鋁合金細線的剩余部分即鋁Al的純度為99.999質量％以上。

3.如權利要求1所述的功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

鐵Fe為0.015～0.1質量％。

4.如權利要求1所述的功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

相對于所述鋁合金細線的全部合金，Fe以及硅Si之外的鋁Al的純度為99.99質量％以上。

5.如權利要求1所述的功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

所述鋁墊為Al-Si合金墊。

6.如權利要求1所述的功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

鐵Fe的含量是硅Si的含量的2倍以上。

7.如權利要求1所述的功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

所述鋁合金細線的維氏硬度為22～28Hv。

8.如權利要求1所述的功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

所述鋁合金細線的線徑為50～500μm。

9.如權利要求1所述的功率半導體裝置用鋁合金細線，其特征在于：

鐵Fe的析出量是鐵Fe的固溶量的3倍以下。