[發(fā)明專(zhuān)利]一種溝槽優(yōu)先銅互連制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310565715.7
• 申請(qǐng)日: 2013-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103617963A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛智彪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種溝槽優(yōu)先銅互連制作方法，其特征在于，所述溝槽優(yōu)先銅互連制作方法包括：

執(zhí)行步驟S1：提供硅基襯底，并在所述硅基襯底上依次沉積所述低k值介質(zhì)層、硬掩模薄膜，且在所述硬掩模薄膜上依次涂布第一旋涂碳薄膜和可形成硬膜之第一光刻膠；

執(zhí)行步驟S2：曝光和顯影在所述第一光刻膠中，并形成所述第一金屬槽；

執(zhí)行步驟S3：依次以所述第一光刻膠和所述第一旋涂碳薄膜為刻蝕掩模，在所述硬掩模薄膜中形成所述第二金屬槽，并去除多余的所述第一旋涂碳薄膜；

執(zhí)行步驟S4：在所述硬掩模薄膜上依次涂布第二旋涂碳薄膜和可形成硬膜之第二光刻膠；

執(zhí)行步驟S5：曝光和顯影在所述第二光刻膠中，并形成所述第一通孔；

執(zhí)行步驟S6：依次以所述第二光刻膠、第二旋涂碳薄膜和所述硬掩模薄膜為刻蝕掩模，并在所述低k值介質(zhì)層中形成所述通孔和所述金屬槽；

執(zhí)行步驟S7：進(jìn)行所述金屬沉積和所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝，實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)線(xiàn)金屬和所述通孔金屬填充。

2.如權(quán)利要求1所述的溝槽優(yōu)先銅互連制作方法，其特征在于，所述低k值介質(zhì)層的介電常數(shù)k＜3。

3.如權(quán)利要求1所述的溝槽優(yōu)先銅互連制作方法，其特征在于，所述可形成硬膜之第一光刻膠和所述可形成硬膜之第二光刻膠為含硅烷基（Silyl）、硅烷氧基（Siloxyl）和籠形硅氧烷（Silsesquioxane）的光刻膠。

4.如權(quán)利要求1所述的溝槽優(yōu)先銅互連制作方法，其特征在于，所述硬掩模薄膜為氧化硅、氮化硅、碳化硅、鈦、氧化鈦、氮化鈦、鉭、氧化鉭、氮化鉭的其中之一，或者其組合膜層。

5.如權(quán)利要求4所述的溝槽優(yōu)先銅互連制作方法，其特征在于，所述硬掩模薄膜的膜層厚度范圍為0～50nm。

6.如權(quán)利要求4所述的溝槽優(yōu)先銅互連制作方法，其特征在于，所述硬掩模薄膜的膜層厚度范圍為5～35nm。

7.如權(quán)利要求1所述的溝槽優(yōu)先銅互連制作方法，其特征在于，所述第一旋涂碳薄膜和所述第二旋涂碳薄膜的厚度范圍均為10～500nm。

8.如權(quán)利要求7所述的溝槽優(yōu)先銅互連制作方法，其特征在于，所述第一旋涂碳薄膜和所述第二旋涂碳薄膜的厚度范圍均為80～350nm。