[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310561688.6 | 申請日: | 2013-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN104638178A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;張振華 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及光電子器件領域,尤其涉及有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層,發光層上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時,發光層就產生光輻射。
有機電致發光材料對氧氣及水汽侵入特別敏感,一方面因為氧氣是淬滅劑,會使OLED的發光量子效率顯著下降,氧氣對OLED的氧化作用也會使OLED的傳輸能力下降;另一方面,水汽對OLED的影響更顯而易見,它的主要破壞方式是使對OLED的有機化合物水解,從而降低OLED的穩定性和壽命。因而,有效抑制OLED在長期工作過程中的退化和失效,以使OLED穩定工作達到足夠的壽命,這對封裝材料的阻隔性提出了極高的要求,而起密封保護作用的封裝技術就成了解決OLED壽命問題的一個突破點。
封裝技術是通過形成結構致密的阻擋層,對封裝區內的核心部件實現物理保護。以無機材料(例如為氮化硅)作為有機電致發光器件的阻擋層的技術已相當成熟且廣泛應用于各式顯示器中。
柔性產品是有機電致發光器件的發展趨勢,但目前普遍存在壽命短,其封裝的好壞直接影響器件的壽命。然而,在制作柔性的機電致發光器件(亦稱為可撓式機電致發光器件)的制造工藝中,由于無機材料的可撓性不佳,以致有機發光裝置在經過彎曲之后,阻擋層會產生裂縫。如此一來,水汽會經由裂縫滲入而影響薄膜晶體管的電性。若以有機材料作為鈍化保護層,則可擁有較佳的可撓性。然而,有機材料的阻水能力較無機材料差,因此水汽容易滲入有機發光裝置而影響其電性。因此,如何提升柔性的有機電致發光器件的可靠性實為目前亟欲解決的議題之一。
發明內容
本發明的目的在于解決上述現有技術存在的問題和不足,提供一種有機電致發光器件,該有機電致發光器件為層狀結構,該層狀結構依次包括:陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層以及所述陰極層上交替層疊的有機阻擋層和無機阻擋層;
所述有機阻擋層的材質為硅碳氧化合物膜;
所述無機阻擋層的材質為B2O3:F、Al2O3:F、Ga2O3:F、In2O3:F或Tl2O3:F。
進一步地,所述硅碳氧化合物膜是使用六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷以及四乙氧基硅烷作為原材料并通過等離子增強化學氣相沉積方法而制得的。
進一步地,所述無機阻擋層是使用三氟甲基物和水蒸氣作為原材料并通過原子層沉積方法而制得的,所述三氟甲基物為B(CH2F)3、Al(CH2F)3、Ga(CH2F)3、In(CH2F)3或Tl(CH2F)3。
進一步地,所述有機阻擋層和所述無機阻擋層交替層疊的層數為四、五或六。
進一步地,所述有機阻擋層的厚度為200nm~300nm;所述無機阻擋層的厚度為15nm~20nm。
進一步地,所述空穴注入層的材質為由MoO3和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺相摻雜得的混合物,其中,MoO3與N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺的重量百分比為0.25:1;
所述空穴傳輸層的材質為4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺;
所述發光層的材質為由三(2-苯基吡啶)合銥和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯相摻雜得的混合物,其中,三(2-苯基吡啶)合銥與1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯的重量百分比為0.05:1;
所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉;
所述電子注入層的材質為由CsN3和4,7-二苯基-1,10-菲羅啉相摻雜得的混合物,其中,CsN3與4,7-二苯基-1,10-菲羅啉的重量百分比為0.25:1;
所述陰極層的材質為金屬鋁。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





