[發(fā)明專(zhuān)利]片上集成型體波諧振器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310555021.5
• 申請(qǐng)日: 2013-11-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103560763B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龐慰;江源;張代化;張浩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 諾思（天津）微系統(tǒng)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03H9/15
• 分類(lèi)號(hào): H03H9/15;H03H9/02;H03H3/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種片上集成型體波諧振器，其特征在于，包括：

體波諧振器；

至少一儲(chǔ)能元件，其中，所述至少一儲(chǔ)能元件的至少部分位于所述體波諧振器在垂直方向的投影區(qū)域范圍內(nèi)；

其中，所述至少一儲(chǔ)能元件和所述體波諧振器在基底厚度方向上垂直布置；

儲(chǔ)能元件包括儲(chǔ)能部和電極部；

所述體波諧振器包括空腔，所述至少一儲(chǔ)能元件的儲(chǔ)能部位于所述空腔內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體波諧振器，其特征在于，所述體波諧振器進(jìn)一步包括：

第一電極；

第二電極，位于所述第一電極下方，并且與所述第一電極電隔離；

基底，位于所述第二電極下方，所述空腔由所述基底的下凹表面形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體波諧振器，其特征在于，所述體波諧振器進(jìn)一步包括：

電極；

基底，位于所述電極下方，所述至少一儲(chǔ)能元件的儲(chǔ)能部位于所述基底和所述電極之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體波諧振器，其特征在于，所述體波諧振器進(jìn)一步包括：

電極；

基底，位于所述電極下方；

所述至少一儲(chǔ)能元件的儲(chǔ)能部位于所述電極的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述的體波諧振器，其特征在于，在所述至少一儲(chǔ)能元件的下方至少部分填充有絕緣材料或者存在間隙。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述的體波諧振器，其特征在于，所述體波諧振器的導(dǎo)電部與所述至少一儲(chǔ)能元件之間存在間隙和/或絕緣材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述的體波諧振器，其特征在于，儲(chǔ)能元件包括電容和/或電感。

8.一種片上集成型體波諧振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供體波諧振器；

將至少一儲(chǔ)能元件的至少部分設(shè)置于所述體波諧振器在垂直方向的投影區(qū)域范圍內(nèi)；

將所述至少一儲(chǔ)能元件和所述體波諧振器設(shè)置成在基底厚度方向上垂直布置；

儲(chǔ)能元件包括儲(chǔ)能部和電極部；

在所述體波諧振器中形成空腔，并且將所述至少一儲(chǔ)能元件的儲(chǔ)能部設(shè)置于所述空腔內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述空腔上方形成壓電結(jié)構(gòu)，所述壓電結(jié)構(gòu)包括上電極、壓電層和下電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，在提供所述體波諧振器時(shí)，所述制造方法進(jìn)一步包括：

提供基底；

將所述至少一儲(chǔ)能元件的儲(chǔ)能部設(shè)置于所述基底上方；

在所述至少一儲(chǔ)能元件的上方形成隔膜層；

在所述隔膜層上方形成壓電結(jié)構(gòu)，所述壓電結(jié)構(gòu)包括上電極、壓電層和下電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一所述的制造方法，其特征在于，儲(chǔ)能元件包括電容和/或電感。