[發(fā)明專利]一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310552881.3
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN104638105A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李銀奎;董桂芳
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鼎材科技有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有機(jī)薄膜晶體管，包括基片、源/漏電極、門電極，以及位于源/漏電極和門電極之間的半導(dǎo)體層和絕緣層，其特征在于，所述半導(dǎo)體層材料為結(jié)構(gòu)通式如下式（Ⅰ）或（Ⅱ）所示有機(jī)稠環(huán)芳烴衍生物：?

其中：Ar₁-Ar₈獨(dú)立選自H、C6～C30的取代或非取代的芳烴基團(tuán)、C6～C30的取代或非取代的稠環(huán)芳烴基團(tuán)、C6～C30的取代或非取代的稠雜環(huán)基團(tuán)、五元、六元的雜環(huán)或取代雜環(huán)、三芳胺基基團(tuán)、二苯胺基基團(tuán)、芳醚團(tuán)基基團(tuán)、C1～C20的取代或非取代的的脂肪族烷基基團(tuán)中的一種；?

X選自第Ⅴ主族或第Ⅵ主族的元素；?

且Ar₁-Ar₈不同時為H。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)稠環(huán)芳烴衍生物通式（Ⅰ）或（Ⅱ）中，X選自S、O、N或P。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)稠環(huán)芳烴衍生物通式（Ⅰ）或（Ⅱ）中，Ar₁-Ar₈分別獨(dú)立選自苯基、取代的苯基、聯(lián)苯基、萘基、取代的萘基、咔唑基、取代的咔唑基、三芳胺基、二苯胺基、N-苯基萘胺基、二苯并噻吩基、取代的二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、取代的二苯并呋喃基。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料選自以下結(jié)構(gòu)式：?

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述基片所用材料選自玻璃、硅片、金屬、陶瓷或者有機(jī)高分子材料。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述基片是柔性基片。?

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述的半導(dǎo)體層的厚度在10-100nm范圍內(nèi)。?

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)薄膜晶體管中的源/漏電極或門電極厚度為10-200nm。?

9.一種制備權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的方法，具體步驟包括：?

（1）有機(jī)稠環(huán)芳烴衍生物材料的合成和提純；?

（2）在帶有門電極或源/漏電極的基片上制備絕緣層；?

（3）在絕緣層上沉積所述有機(jī)稠環(huán)芳烴衍生物材料作為器件的半導(dǎo)體層；?

（4）制備源/漏電極或門電極；?

（5）采用退火工藝處理器件。?

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)稠環(huán)芳烴衍生物薄膜層是在真空腔室中蒸鍍制備的，蒸鍍速度為?

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)稠環(huán)芳烴衍生物薄膜層是通過把所述有機(jī)稠環(huán)芳烴衍生物溶解在溶?劑中，通過旋涂、噴墨打印和印刷濕法制備的。?

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述退火工藝步驟中控制溫度為50℃至120℃，退火時間為1-4小時。?