[發(fā)明專利]非易失性存儲器件和利用非易失性存儲器件的半導(dǎo)體系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310552546.3
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN104347115B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金珪圣
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

1.一種非易失性存儲器件，包括：

一個或更多個列線；

兩個或更多個行線，每個所述行線包括開關(guān)，所述開關(guān)被配置成響應(yīng)于相應(yīng)的行電阻設(shè)定信號中的一個和相應(yīng)的行選擇信號中的一個而導(dǎo)通；

多個存儲器單元，所述多個存儲器單元被配置成連接在每個所述行線和所述列線之間；以及

參考電阻設(shè)定單元，所述參考電阻設(shè)定單元被配置成使能部分或全部的所述列線和所述行線以將多個選中的存儲器單元的電阻值組合、并且設(shè)定參考電阻值。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述參考電阻設(shè)定單元產(chǎn)生與各自列線相對應(yīng)的列電阻設(shè)定信號和與各自行線相對應(yīng)的所述行電阻設(shè)定信號，每個所述列電阻設(shè)定信號使能相應(yīng)的列線，并且每個所述行電阻設(shè)定信號使能相應(yīng)的行線。

3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器件，其中，每個所述列線包括被配置成響應(yīng)于相應(yīng)的列電阻設(shè)定信號中的一個和相應(yīng)的列選擇信號中的一個而導(dǎo)通的開關(guān)。

4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，當(dāng)每個所述行線的開關(guān)都導(dǎo)通時，每個所述行線彼此連接。

5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，每個所述行線的連接形成在存儲器單元陣列的外部。

6.一種非易失性存儲器件，包括：

多個列線；

多個行線；

存儲器單元陣列，所述存儲器單元陣列被配置成包括多個存儲器單元，每個所述存儲器單元被設(shè)置在所述列線與所述行線的交叉點處；

列解碼單元，所述列解碼單元被配置成選擇所述列線中要存取的一個列線；

行解碼單元，所述行解碼單元被配置成選擇所述行線中要存取的一個行線；以及

參考電阻設(shè)定單元，所述參考電阻設(shè)定單元被配置成選擇所述列線中的部分列線和所述行線中的部分行線以將多個選中的存儲器單元的電阻值組合、并且設(shè)定參考電阻值，

其中，所述部分行線的每個包括開關(guān)，所述開關(guān)被配置成響應(yīng)于相應(yīng)的行電阻設(shè)定信號和由所述行解碼單元產(chǎn)生的行選擇信號而導(dǎo)通。

7.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，所述參考電阻設(shè)定單元產(chǎn)生與所述部分列線相對應(yīng)的列電阻設(shè)定信號和與所述部分行線相對應(yīng)的所述行電阻設(shè)定信號，以響應(yīng)于讀取命令而選擇所述部分列線和所述部分行線。

8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲器件，其中，所述部分列線的每個包括被配置成響應(yīng)于相應(yīng)的列電阻設(shè)定信號和由所述列解碼單元產(chǎn)生的相應(yīng)的列選擇信號而導(dǎo)通的開關(guān)。

9.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，在讀取操作期間，所述非易失性存儲器件將流經(jīng)選中的存儲器單元的讀取電流或電壓與根據(jù)由所述參考電阻設(shè)定單元設(shè)定的所述參考電阻值的參考電流或電壓進行比較，所述選中的存儲器單元正在被所述列解碼單元和所述行解碼單元存取。

10.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，所述參考電阻設(shè)定單元選擇所述部分列線和所述部分行線，并且基于與選中的部分列線和選中的部分行線連接的存儲器單元的電阻值來設(shè)定所述參考電阻值。

11.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，所述部分列線的每個通過金屬線與所述部分列線的另一個電連接。

12.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，所述部分行線的每個通過金屬線與所述部分行線的另一個電連接。