[發明專利]制造氧化物薄膜晶體管的方法

有效

• 申請號: 201310548204.4
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN103855030B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 樸相武;金峰澈;河燦起;權真佑;李炯兆
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 呂俊剛,劉久亮

1.一種制造氧化物薄膜晶體管的方法，所述方法包括如下步驟：

在基板上形成柵極；

在包括所述柵極的所述基板的前表面上形成柵絕緣膜；

在所述柵絕緣膜上形成與所述柵極對應的氧化物半導體層；

在所述基板的所述前表面上形成下數據金屬層以覆蓋所述氧化物半導體層的上表面和所述氧化物半導體層的端部的側面，并且所述下數據金屬層直接接觸所述氧化物半導體層的上表面和所述氧化物半導體層的端部的側面，在所述下數據金屬層的上表面上形成上數據金屬層；

通過濕蝕刻對所述上數據金屬層進行構圖來形成上源極圖案和上漏極圖案；

使用所述上源極圖案和所述上漏極圖案作為掩模，通過干蝕刻對所述下數據金屬層進行構圖，來形成下源極圖案和下漏極圖案，以形成源極和漏極，該源極包括所述下源極圖案和所述上源極圖案，并且該漏極包括所述下漏極圖案和所述上漏極圖案并且以恒定距離與所述源極間隔開；

在包括所述源極和所述漏極的所述基板的所述前表面上形成第一鈍化膜；

對所述氧化物半導體層進行熱處理；以及

在所述第一鈍化膜的前表面上形成第二鈍化膜，

其中，在所述氧化物薄膜晶體管制造過程期間，由于位于所述氧化物半導體層的上表面和所述氧化物半導體層端部的側面的下數據金屬層的存在，與所述柵極對應的所述氧化物半導體層沒有被暴露于在濕蝕刻中使用的蝕刻劑，

其中，用于構圖所述下數據金屬層的所述干蝕刻使用SF₆和O₂的混合蝕刻氣體或者CF₄和O₂的混合蝕刻氣體，并且當使用SF₆和O₂的所述混合蝕刻氣體時，硫和氟留在所述源極與所述漏極之間的所述氧化物半導體層的暴露表面上，并且當使用CF₄和O₂的所述混合蝕刻氣體時，氟和碳留在所述源極與所述漏極之間的所述氧化物半導體層的暴露表面上，并且

其中，位于所述源極和所述漏極之間的與所述柵極對應的所述氧化物半導體層沒有被蝕刻。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一鈍化膜包括SiO₂。

3.根據權利要求1所述的方法，其中使用濺射方法執行所述下數據金屬層和所述上數據金屬層的形成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述上數據金屬層包括銅Cu或者Cu合金。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述下數據金屬層包括從鉬Mo、鈦Ti、Mo合金和Ti合金當中選擇的至少一種材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述漏極與所述源極以3μm至10μm之間的距離間隔開。