[發(fā)明專利]溫度監(jiān)控裝置及等離子體加工設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310547435.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104630735A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳昊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/54 | 分類號(hào): | C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 溫度 監(jiān)控 裝置 等離子體 加工 設(shè)備 | ||
1.一種溫度監(jiān)控裝置,用于監(jiān)控位于反應(yīng)腔室內(nèi)的被加熱體的不同區(qū)域的溫度以控制加熱功率,其特征在于,所述溫度監(jiān)控裝置包括加熱單元、檢測(cè)單元、驅(qū)動(dòng)單元和控制單元,其中
所述加熱單元用于對(duì)所述被加熱體的不同區(qū)域進(jìn)行加熱;
所述檢測(cè)單元包括溫度檢測(cè)模塊,所述溫度檢測(cè)模塊用于檢測(cè)所述被加熱體的不同區(qū)域內(nèi)的溫度,并將檢測(cè)到的溫度發(fā)送到所述控制單元;
所述驅(qū)動(dòng)單元用于驅(qū)動(dòng)所述溫度檢測(cè)模塊在所述反應(yīng)腔室內(nèi)移動(dòng),以使所述溫度檢測(cè)模塊在移動(dòng)的過程中分別檢測(cè)所述被加熱體不同區(qū)域的溫度;
所述控制單元用于根據(jù)所述溫度檢測(cè)模塊發(fā)送而來的溫度與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度進(jìn)行比較,并在二者存在偏差時(shí),校準(zhǔn)所述加熱單元對(duì)所述溫度檢測(cè)模塊發(fā)送的溫度所對(duì)應(yīng)的檢測(cè)區(qū)域的輸出功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度監(jiān)控裝置,其特征在于,所述被加熱體包括沿其徑向劃分的多個(gè)互為同心的區(qū)域,所述檢測(cè)單元還包括位置檢測(cè)模塊,所述位置檢測(cè)模塊用于在所述溫度檢測(cè)模塊移動(dòng)的過程中實(shí)時(shí)檢測(cè)所述溫度檢測(cè)模塊的位置,并將其發(fā)送至所述控制單元;
所述控制單元用于根據(jù)所述位置檢測(cè)模塊發(fā)送而來的位置判斷由所述溫度檢測(cè)模塊在該位置處發(fā)送而來的溫度屬于被加熱體的區(qū)域,并將該溫度與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度進(jìn)行比較,且在二者存在偏差時(shí)校準(zhǔn)所述加熱單元對(duì)所述被加熱體的該區(qū)域的輸出功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溫度監(jiān)控裝置,其特征在于,所述被加熱體包括沿其徑向由內(nèi)向外劃分的互為同心的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域,所述加熱單元包括中心加熱模塊和邊緣加熱模塊,所述中心加熱模塊用于對(duì)被加熱體的中心區(qū)域進(jìn)行加熱;所述邊緣加熱模塊用于對(duì)被加熱體的邊緣區(qū)域進(jìn)行加熱;
所述驅(qū)動(dòng)單元用于驅(qū)動(dòng)所述溫度檢測(cè)模塊在所述反應(yīng)腔室的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域之間移動(dòng),以使所述溫度檢測(cè)模塊在移動(dòng)的過程中分別檢測(cè)所述被加熱體的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的溫度,并將其發(fā)送至所述控制單元;所述位置檢測(cè)模塊用于在所述溫度檢測(cè)模塊移動(dòng)的過程中實(shí)時(shí)檢測(cè)所述溫度檢測(cè)模塊的位置,并將其發(fā)送至所述控制單元;
所述控制單元用于根據(jù)所述位置檢測(cè)模塊發(fā)送而來的位置判斷由所述溫度檢測(cè)模塊在該位置處發(fā)送而來的溫度屬于被加熱體的中心區(qū)域溫度或邊緣區(qū)域溫度,若屬于被加熱體的中心區(qū)域溫度,則將其與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度進(jìn)行比較,并在二者存在偏差時(shí)校準(zhǔn)所述中心加熱模塊的輸出功率;若屬于被加熱體的邊緣區(qū)域溫度,則將其與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度進(jìn)行比較,并在二者存在偏差時(shí)校準(zhǔn)所述邊緣加熱模塊的輸出功率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溫度監(jiān)控裝置,其特征在于,所述位置檢測(cè)模塊包括磁感應(yīng)器和磁體,其中
所述磁感應(yīng)器設(shè)置在與被加熱體的中心相對(duì)應(yīng)的位置處,所述磁體設(shè)置在與所述溫度檢測(cè)模塊相對(duì)應(yīng)的位置處,并隨所述溫度檢測(cè)模塊同步移動(dòng),并且
所述磁感應(yīng)器被設(shè)置為:在所述磁體處于所述被加熱體的中心區(qū)域時(shí)感應(yīng)到由所述磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng),而在所述磁體處于所述被加熱體的邊緣區(qū)域時(shí)無法感應(yīng)到由所述磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng);所述磁感應(yīng)器在感應(yīng)到由所述磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)時(shí)向所述控制單元發(fā)送信號(hào);
所述控制單元在接收到來自所述磁感應(yīng)器的信號(hào)時(shí),則確定此時(shí)由所述溫度檢測(cè)模塊發(fā)送而來的溫度屬于被加熱體的中心區(qū)域溫度;在未接收到來自所述磁感應(yīng)器的信號(hào)時(shí),則確定此時(shí)由所述溫度檢測(cè)模塊發(fā)送而來的溫度屬于被加熱體的邊緣區(qū)域溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溫度監(jiān)控裝置,其特征在于,所述位置檢測(cè)模塊包括磁感應(yīng)器和磁體,其中
所述磁體設(shè)置在與所述被加熱體的中心相對(duì)應(yīng)的位置處,所述磁感應(yīng)器設(shè)置在與所述溫度檢測(cè)模塊相對(duì)應(yīng)的位置處,并隨所述溫度檢測(cè)模塊同步移動(dòng),并且
所述磁感應(yīng)器被設(shè)置為:在所述磁感應(yīng)器處于所述被加熱體的中心區(qū)域時(shí)感應(yīng)到由所述磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng),而在所述磁感應(yīng)器處于所述被加熱體的邊緣區(qū)域時(shí)無法感應(yīng)到由所述磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng);所述磁感應(yīng)器在感應(yīng)到由所述磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)時(shí)向所述控制單元發(fā)送信號(hào);
所述控制單元在接收到來自所述磁感應(yīng)器的信號(hào)時(shí),則確定此時(shí)由所述溫度檢測(cè)模塊發(fā)送而來的溫度屬于被加熱體的中心區(qū)域溫度;在未接收到來自所述磁感應(yīng)器的信號(hào)時(shí),則確定此時(shí)由所述溫度檢測(cè)模塊發(fā)送而來的溫度屬于被加熱體的邊緣區(qū)域溫度。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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