[發(fā)明專利]一種合成半導體金剛石單晶的催化劑及生產(chǎn)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310539147.3 | 申請日: | 2013-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN103801352A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 熊科學 | 申請(專利權)人: | 熊科學 |
| 主分類號: | B01J27/22 | 分類號: | B01J27/22;B01J3/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 315194 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 合成 半導體 金剛石 催化劑 生產(chǎn) 方法 | ||
1.一種合成半導體金剛石單晶的催化劑,其特征在于:其組成按重量百分比為,20-25%的鎳7-10%的石墨、1.2-1.5%的錳、0.3-0.5%的銅、硼鐵合金0.5-0.8%、碳化硼0.5-1.2%,余量為鐵;所述硼鐵合金與碳化硼的重量比為2∶3。
2.根據(jù)權利要求1所述的合成半導體金剛石單晶的催化劑,其特征在于:所述硼鐵合金為高硼硼鐵合金,其中,硼的重量百分比不低于30%。
3.一種合成半導體金剛石單晶的催化劑的生產(chǎn)方法,其特征在于:包括以下步驟:
1)按各材料的組成比例選料,并分別進行球磨粉碎成200-300目粉末;
2)用氫氣保護在380℃處理8小時后進行二次球磨成低于150目的粉末;
3)按比例混料后在300-450Mpa下軋制成0.1-0.5mm的片狀結構;
4)把粉末軋制的薄帶在燒結爐中通入保護氣氛加熱,進行850~1000℃的低溫燒結,保溫時間不少于4小時后在保護氣氛下進行二次軋制,壓制壓力為500-650Mpa;
5)去除片狀催化劑的表面,除去污染物和氧化膜;
6)真空包裝。
4.根據(jù)權利要求3所述的合成半導體金剛石單晶的催化劑的生產(chǎn)方法,其特征在于:所述的保護氣氛可以采用氮氣或氬氣。
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