[發(fā)明專利]硅片CMP工藝制劑在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310538602.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-11-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103614081A | 公開（公告）日： | 2014-03-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 夏澤軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 昆山宏凌電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C09G1/02 | 分類號(hào)： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京瑞思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11341 | 代理人： | 李濤 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片 cmp 工藝 制劑 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種硅片CMP工藝制劑，其特征在于，含有：顆粒為50~80nm的氧化鈰，其密度為1.25kg/m3，pH值為10~12，固體含量33~35%，Cu<20?ppm，Mn<2.3?ppm，以及5~10%的活性劑。
2.如權(quán)利要求1所述的硅片CMP工藝制劑，其特征在于：所述制劑的pH值為11~11.5。
3.如權(quán)利要求1或2所述的硅片CMP工藝制劑，其特征在于：所述制劑通過NaOH、KOH或NH4OH調(diào)整控制。
4.如權(quán)利要求1所述的硅片CMP工藝制劑，其特征在于：所述制劑含有氧化劑。
5.如權(quán)利要求4所述的硅片CMP工藝制劑，其特征在于：所述氧化劑為NH4OH或有機(jī)堿。
6.如權(quán)利要求1所述的硅片CMP工藝制劑，其特征在于：還具有抗蝕劑苯三唑，且濃度為2-4mg/L。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昆山宏凌電子有限公司，未經(jīng)昆山宏凌電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310538602.8/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
