[發明專利]一種功率器件及一種功率器件的裝配方法在審
| 申請號: | 201310533790.5 | 申請日: | 2013-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN103560091A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發明(設計)人: | 丁麗;蔣然;何大鵬 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功率 器件 裝配 方法 | ||
技術領域
本申請涉及電子技術領域,特別涉及一種功率器件及一種功率器件的裝配方法。
背景技術
隨著PCBA制作工藝的快速發展,目前,PCBA的組裝方式主要是基于帶封裝形式的器件(裸die)進行裝配,在裸die外部增加澆鑄塑封或粘結陶瓷作為保護,這種形式稱之為帶封裝器件;現有的PCBA過程大致為:通過先將裸die焊接到銅法蘭上,再由法蘭焊接到金屬產品(PCBA/金屬板)上,當裸die焊接到銅法蘭上后,表面澆鑄塑封或粘貼陶瓷蓋。
如圖1所示,圖1所示為現有裝配方案中使用到的一種電子元件,通過將裸die組裝到金屬法蘭上或再進行澆鑄塑封或粘貼陶瓷,形成的部件(器件)包括有裸die組裝到金屬法蘭、裸die組裝到金屬法蘭并塑封、裸die組裝到金屬法蘭并粘貼陶瓷三種形式,然后再對這些部件(器件)以組件方式進行二級裝配到PCB、PCBA或金屬板上。
二級裝配的示意圖:其中圖2(a)所示為采用貼法蘭未封裝電子元件進行裝配的示意圖,從該圖中可知,在器件與銅法蘭之間,以及銅法蘭與電路板之間,各自會形成一個熱阻層,因此,貼法蘭未封裝功率器件進行裝配時會形成兩處熱阻;圖2(b)所示為采用封裝后電子元件進行裝配的示意圖,顯而易見,當將貼法蘭后的器件進一步通過澆鑄塑封或粘貼陶瓷封裝后,除了之前的兩處熱阻,塑封和陶瓷封片還會增加熱阻,影響器件的散熱性。
由上述描述可知,現有的制作過程由于采用帶封裝器件來進行裝配,將器件以部件形態裝配到產品上,在進行二級裝配到PCBA或金屬板上后,由于形成至少兩處熱阻,造成導熱效率以及接地性能下降的技術問題;并且由于需要采購封裝好的成品器件,使得裝配過程受供貨約束以及采購成本高。
發明內容
本申請實施例通過提供一種功率器件及一種功率器件的裝配方法,用以解決現有技術中由于采用帶封裝器件來進行裝配造成裝配完成的產品導熱效率以及接地性能下降的技術問題。
第一方面,提供一種功率器件,包括:
金屬介質,該金屬介質位于一待裝配基板中;
至少一個器件,設置在待裝配基板上;
至少一個裸芯片,設置在金屬介質上,且至少一個裸芯片與至少一個器件之間具有電連接。
結合第一方面,在第一種可能的實現方式中,待裝配基板具體包括PCB層以及金屬基板,且PCB層位于金屬基板上面。
結合第一方面的第一種可能的實現方式,在第二種可能實現的方式中,金屬介質具體鑲嵌于PCB層中。
結合第一方面的第一種可能的實現方式,在第三種可能實現的方式中,金屬介質具體鑲嵌于金屬基板中,且形成的金屬介質與PCB層的高度一致。
結合第一方面的第一種可能的實現方式,在第四種可能實現的方式中,金屬基板形成有一個高度與PCB層高度一致的金屬凸臺,金屬凸臺即為金屬介質。
結合第一方面,在第五種可能的實現方式中,金屬介質中形成有數量與至少一個裸芯片相同的至少一個凹槽,至少一個裸芯片中的每個裸芯片設置在至少一個凹槽中的一個凹槽中。
結合第一方面,在第六種可能的實現方式中,至少一個裸芯片具體為貼設在金屬介質的表面。
第二方面,提供一種功率器件的裝配方法,包括:
將一金屬介質設置在一待裝配基板中;
將至少一個裸芯片設置在所述金屬介質上;
將至少一個裸芯片與待裝配基板上的至少一個器件進行電連接,從而獲得功率器件。
結合第二方面,在第一種可能的實現方式中,待裝配基板具體包括PCB層以及金屬基板,且PCB層位于金屬基板上面。
結合第二方面的第一種可能的實現方式,在第二種可能的實現方式中,將一金屬介質設置在一待裝配基板中,具體為:將金屬介質鑲嵌于PCB層中。
結合第二方面的第二種可能的實現方式,在第三種可能的實現方式中,在將所述金屬介質鑲嵌于PCB層中之后,該方法還包括:將鑲嵌有金屬介質的PCB層焊接在金屬基板上。
結合第二方面的第一種可能的實現方式,在第四種可能的實現方式中,將一金屬介質設置在一待裝配基板中,具體為:將金屬介質鑲嵌于金屬基板中,且使金屬介質突出于金屬基板表面。
結合第二方面的第一種可能的實現方式,在第五種可能的實現方式中,將一金屬介質設置在一待裝配基板中,具體為:金屬基板上形成有金屬凸臺,金屬凸臺即為金屬介質。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





