[發(fā)明專利]一種功率器件及一種功率器件的裝配方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310533790.5
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103560091A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁麗;蔣然;何大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種功率器件，其特征在于，包括：

金屬介質(zhì)，所述金屬介質(zhì)位于一待裝配基板中；

至少一個器件，設(shè)置在所述待裝配基板上；

至少一個裸芯片，設(shè)置在所述金屬介質(zhì)上，且所述至少一個裸芯片與所述至少一個器件之間具有電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述待裝配基板具體包括PCB層以及金屬基板，且所述PCB層位于所述金屬基板上面。

3.如權(quán)利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述金屬介質(zhì)具體鑲嵌于所述PCB層中。

4.如權(quán)利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述金屬介質(zhì)具體鑲嵌于所述金屬基板中，且形成的所述金屬介質(zhì)與所述PCB層的高度一致。

5.如權(quán)利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述金屬基板形成有一個高度與所述PCB層高度一致的金屬凸臺，所述金屬凸臺即為所述金屬介質(zhì)。

6.如權(quán)利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述金屬介質(zhì)中形成有數(shù)量與所述至少一個裸芯片相同的至少一個凹槽，所述至少一個裸芯片中的每個裸芯片設(shè)置在所述至少一個凹槽中的一個凹槽中。

7.如權(quán)利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述至少一個裸芯片具體為貼設(shè)在所述金屬介質(zhì)的表面。

8.一種功率器件的裝配方法，其特征在于，包括：

將一金屬介質(zhì)設(shè)置在一待裝配基板中；

將至少一個裸芯片設(shè)置在所述金屬介質(zhì)上；

將所述至少一個裸芯片與所述待裝配基板上的至少一個器件進(jìn)行電連接，從而獲得所述功率器件。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述待裝配基板具體包括PCB層以及金屬基板，且所述PCB層位于所述金屬基板上面。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述將一金屬介質(zhì)設(shè)置在一待裝配基板中，具體為：

將所述金屬介質(zhì)鑲嵌于所述PCB層中。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在所述將所述金屬介質(zhì)鑲嵌于所述PCB層中之后，所述方法還包括：

將鑲嵌有所述金屬介質(zhì)的所述PCB層焊接在所述金屬基板上。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述將一金屬介質(zhì)設(shè)置在一待裝配基板中，具體為：

將所述金屬介質(zhì)鑲嵌于所述金屬基板中，且使所述金屬介質(zhì)突出于所述金屬基板表面。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述將一金屬介質(zhì)設(shè)置在一待裝配基板中，具體為：

所述金屬基板上形成有金屬凸臺，所述金屬凸臺即為所述金屬介質(zhì)。

14.如權(quán)利要求12或13所述的方法，其特征在于，在所述將一金屬介質(zhì)設(shè)置在一待裝配基板中之后，所述方法還包括：

將所述PCB層焊接在所述金屬基板上，且位于所述金屬介質(zhì)周圍，以使所述PCB層與所述金屬介質(zhì)的高度一致。

15.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述金屬介質(zhì)上設(shè)置至少一個裸芯片，具體包括：

在所述金屬介質(zhì)中開設(shè)數(shù)量與所述至少一個裸芯片相同的至少一個凹槽；

將所述至少一個裸芯片中的每個裸芯片設(shè)置在所述至少一個凹槽中的一個凹槽中。

16.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述金屬介質(zhì)上設(shè)置至少一個裸芯片，具體為：

將所述至少一個裸芯片貼設(shè)在所述金屬介質(zhì)的表面。