[發明專利]一體式功率半導體模塊

無效

• 申請號: 201310533320.9
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103794604A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 金洸洙;梁時重;徐范錫;郭煐熏;J·河
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/488;H01L33/62
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 李翔;黃志興

相關申請的交叉引用

本申請要求于2012年10月31日在韓國知識產權局提交的名為“一體式功率半導體模塊”的韓國專利申請No.10-2012-0122515的優先權，在此將其全部內部通過引用結合于本申請中。

技術領域

本發明涉及一種一體式功率半導體模塊。

背景技術

由于全球范圍內能源使用總量的不斷增加，人們對對高效地利用有限的能源的興趣也在不斷增加。因此，應用了功率半導體模塊以及智能功率模塊（IPM）的逆變器越來越多地應用于能源高效功率轉化所涉及的所有領域，包括家用，工業，再生能源、戰場等。

根據功率半導體模塊的一種延伸的應用，市場的進一步需求高性能、高效率、高可靠性及低功耗的功率半導體模塊。特別地，作為逆變器的核心部分的功率半導體模塊的可靠性直接影響功率半導體模塊的性能，因此，功率半導體模塊的可靠性已成為其高性能、高效率以及高可靠性之外的重要問題。

然而，關于功率半導體模塊，其可靠性的問題仍然未解決。具體地，對連接線進行了不斷地技術發展，但是大部分連接線在可靠性測試中不合格。專利文件公開的下述現有技術涉及一種具有發光二極管封裝件的光源模塊。以下將對其作簡要描述。所述光源模塊包括印刷電路板（PCB）以及多個發光二極管封裝件。每個所述多個發光二極管封裝件包括（1）形成于所述PCB上并且產生光的發光芯片，（2）包括底板件以及與底板件連接的側壁的殼體，所述殼體容納所述發光芯片，（3）互相間隔并且分別電連接于所述發光芯片的第一引線框架和第二引線框架，以及（4）與所述發光芯片以及第一引線框架和第二引線框架間隔并且電絕緣的虛擬引線框架。并且，所述多個發光二極管封裝件被分為多個傳動滑塊。多個傳動滑塊中的第一傳動滑塊的所述發光二極管封裝件通過所述虛擬引線框架電連接到第二傳動滑塊的所述發光二極管封裝件。

專利文件公開了像通過包括上述發光二極管封裝件的光源模塊中的引線框架的發光芯片一樣的電連接半導體元件的技術結構。然而，所述光源模塊通過連接線連接基片和半導體元件，這涉及可靠性、工藝性以及不合格問題。

[現有技術文件]

[專利文件]

（專利文件1）韓國專利公開出版No.2012-0070683

發明內容

本發明致力于提供一種一體式功率半導體模塊，所述一體式功率半導體模塊通過增加半導體元件的連接區域以及連接力以改善其可靠性。

此外，本發明致力于提供一種一體式功率半導體模塊，所述一體式功率半導體模塊通過根據半導體元件的安裝與高度調節臺階差（step?difference）以提高其工藝性并且降低不合格率。

根據本發明的優選實施方式，提供了一種一體式功率半導體模塊，包括：形成于基片上的多個第一半導體元件；殼體，所述殼體塑造形成并包括跨過所述多個第一半導體元件的上部的橋；以及多個引導件，所述多個引導件整體地形成于所述殼體上并且電連接所述多個第一半導體元件以及所述基片。

所述一體式功率半導體模塊還可以包括：形成于所述橋的上部的多個第二半導體元件。

所述多個第一半導體元件可以具有不同的高度，并且所述多個引導件的長度可以通過根據所述多個第一半導體元件中每一個的高度調節臺階差的方式調節。

所述多個引導件可以具有彈性。

所述多個第一半導體元件的數量為兩個，并且第一電壓輸入終端以及第二電壓輸入終端的引導件連接于所述兩個第一半導體元件，其中，功率輸入終端以及第一電壓輸入終端的引導件從殼體的一側凸出，并且接地終端以及第二電壓輸入終端的所述引導件從殼體的另一側凸出。

所述多個第一半導體元件以及所述多個引線框架由樹脂塑造。

所述殼體可以包括：垂直設置的第一側壁件和第二側壁件；以及第一橋和第二橋，所述第一橋和第二橋設置于所述第一側壁件和第二側壁件之間并且分別從所述第一側壁件和第二側壁件成直角延伸。

由第一側壁件和第一橋形成的第一殼體和由第二側壁件和第二橋形成的第二殼體彼此傾斜。

所述功率輸入終端的引導件從所述殼體的一側凸出，所述接地終端以及所述第二電壓輸入終端的引導件從所述殼體的另一側凸出，并且連接于所述多個第一半導體元件的所述多個引導件與第二基片連接。

附圖說明

通過以下結合附圖的詳細說明，將更清楚地理解本發明的上述以及其他的對象、特征和優勢，其中：

圖1是根據本發明的第一種實施方式的一體式功率半導體模塊的剖視圖；

圖2是在圖1中的一體式功率半導體模塊使用的半導體元件的電路圖；