[發明專利]一體式功率半導體模塊

無效

• 申請號: 201310533320.9
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103794604A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 金洸洙;梁時重;徐范錫;郭煐熏;J·河
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/488;H01L33/62
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 李翔;黃志興

1.一種一體式功率半導體模塊，該一體式功率半導體模塊包括：

多個形成于基片上的第一半導體元件；

殼體，該殼體塑造形成，并包括跨過所述多個第一半導體元件上部的橋；以及

多個引導件，該多個引導件與所述殼體整體形成并電連接所述基片和所述多個第一半導體元件。

2.根據權利要求1所述的一體式功率半導體模塊，該一體式功率半導體模塊還包括：形成于所述橋的上部的多個第二半導體元件。

3.根據權利要求1所述的一體式功率半導體模塊，其中，所述多個第一半導體元件具有不同的高度，并且所述多個引導件的長度以根據所述多個第一半導體元件中的每一個的高度調節臺階差的方法來調節。

4.根據權利要求1所述的一體式功率半導體模塊，其中，所述多個引導件具有彈性。

5.根據權利要求1所述的一體式功率半導體模塊，其中，所述多個第一半導體元件的數量為兩個，并且第一電壓輸入終端的引導件和第二電壓輸入終端的引導件連接于所述兩個第一半導體元件，

其中，功率輸入終端的引導件和第一電壓輸入終端的引導件從所述殼體的一側凸出，并且接地終端的引導件和第二電壓輸入終端的引導件從所述殼體的另一側凸出。

6.根據權利要求1所述的一體式功率半導體模塊，其中，所述多個第一半導體元件和所述多個引線框架由樹脂塑造。

7.根據權利要求1所述的一體式功率半導體模塊，其中，所述殼體包括：

垂直設置的第一側壁件和第二側壁件；以及

第一橋和第二橋，該第一橋和第二橋設置于所述第一側壁件和第二側壁件之間并且分別從第一側壁件和第二側壁件成直角延伸。

8.根據權利要求7所述的一體式功率半導體模塊，其中，由所述第一側壁件和第一橋形成的第一殼體與由所述第二側壁件和第二橋形成的第二殼體彼此傾斜。

9.根據權利要求4所述的一體式功率半導體模塊，其中，功率輸入終端的所述引導件從所述殼體的一側凸出，所述接地終端的所述引導件和所述第二電壓輸入終端的所述引導件從所述殼體的另一側凸出，并且連接于所述多個第一半導體元件的所述多個引導件與第二基片連接。