[發(fā)明專利]一種橫向功率器件漂移區(qū)的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310525073.8
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN103545220A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 喬明;章文通;葉珂;祁嬌嬌;薛騰飛;張波
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種橫向功率器件漂移區(qū)的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

a.在漂移區(qū)（1）上生長一層外延層，進行N型雜質(zhì)和P型雜質(zhì)注入，重復步驟a多次后進入步驟b；

b.通過退火處理，形成N型摻雜條（22）和P型摻雜條（21）；

c.在N型摻雜條（22）和P型摻雜條（21）之間刻蝕介質(zhì)槽（3）；

d.對介質(zhì)槽（3）進行介質(zhì)填充；

e.平坦化去除多余的介質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種橫向功率器件漂移區(qū)的制造方法，其特征在于，步驟a還包括：

a1.在漂移區(qū)（1）上生長一層外延層，所述外延層和漂移區(qū)（1）具有相同的摻雜類型和摻雜濃度，在外延層上依次覆蓋薄氧化層（31）和光刻膠（4），在漂移區(qū)（1）上表面形成P型雜質(zhì)注入窗口，進行高能離子注入形成P型摻雜區(qū)（21）；

a2.去除步驟a1中剩下的光刻膠（4），重新光刻，在漂移區(qū)（1）上表面形成N型雜質(zhì)注入窗口，進行高能離子注入形成N型摻雜區(qū)（22）；

a3.去除步驟a2中剩下的薄氧化層（31）和光刻膠（4），回到步驟a1。