[發明專利]涂層材料的光刻方法有效
| 申請號： | 201310520177.X | 申請日： | 2013-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN104570593B | 公開（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發明（設計）人： | 鄭展;杜海;董天化;霍燕麗;莊燕萍 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 涂層材料 涂敷 上寬下窄 光刻 開口 高溫工藝 高溫烘烤 尖端突起 聚酰亞胺 曝光工藝 圖案輪廓 曝光 襯底 顯影 半導體 | ||
1.一種涂層材料的光刻方法，其特征在于，包括：
在半導體襯底上涂敷第一涂層；
對所述第一涂層進行曝光；
在所述第一涂層上涂敷第二涂層；
對所述第二涂層進行曝光；
對所述第一涂層和第二涂層進行顯影，形成上寬下窄的開口，所述開口包括位于第一涂層中的下開口部和位于第二涂層中的上開口部，并且所述下開口部的側壁和所述上開口部的側壁相互連接；
對所述第一涂層和第二涂層進行高溫烘烤工藝。
2.如權利要求1所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂層和第二涂層是聚酰亞胺。
3.如權利要求2所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂層和第二涂層是負性聚酰亞胺。
4.如權利要求2所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂層和第二涂層的總厚度大于20μm。
5.如權利要求2所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，所述高溫烘烤工藝是固化工藝，所述固化工藝的溫度范圍是100～500攝氏度。
6.如權利要求2所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，所述高溫烘烤工藝是固化工藝，所述固化工藝的時間范圍是10～240分鐘。
7.如權利要求1所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂層和第二涂層是光刻膠。
8.如權利要求7所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，所述第一涂層和第二涂層是負性光刻膠。
9.如權利要求1至8中任意一項所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，通過調整曝光工藝的聚焦點來形成上寬下窄的開口。
10.如權利要求1至8中任意一項所述的涂層材料的光刻方法，其特征在于，所述涂層材料用于封裝工藝。
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