[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管顯示設備及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310516719.6 | 申請日： | 2013-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN103839967A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李昶昊;樸鐘賢;許成權(quán);柳春基 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L23/544;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓明星;韓芳 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有機 發(fā)光二極管 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發(fā)光二極管顯示設備，所述有機發(fā)光二極管顯示設備包括：
基板：
絕緣層，位于基板上；
對準標志，包括絕緣材料，
其中，絕緣層的上表面接觸對準標志的下表面。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，對準標志包括有機絕緣材料。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，絕緣層直接接觸對準標志的下表面。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，絕緣層包括位于基板上的下絕緣層和位于下絕緣層上的上絕緣層，其中，有機發(fā)光二極管顯示設備還包括在下絕緣層和上絕緣層之間的輔助對準標志，其中，輔助對準標志位于對準標志下面，并且與對準標志相對應。
5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，輔助對準標志包括半導體材料，其中，下絕緣層包括緩沖層，其中，上絕緣層包括柵極絕緣層和位于柵極絕緣層上的層間絕緣層。
6.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，輔助對準標志包括導電材料，其中，下絕緣層包括柵極絕緣層，其中，上絕緣層包括層間絕緣層。
7.如權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，輔助對準標志具有包括透明導電材料層和金屬層的堆疊結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，所述有機發(fā)光二極管顯示設備還包括：
薄膜晶體管，位于基板上；
像素電極，電連接到薄膜晶體管；
像素限定層，暴露像素電極的一部分并限定像素；
有機發(fā)光層，有機發(fā)光層的至少一部分位于像素電極的被像素限定層暴露的部分上，
其中，像素限定層包括與對準標志的絕緣材料的材料相同的材料。
9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，薄膜晶體管包括：有源層，包括源區(qū)、漏區(qū)和位于源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)；柵電極，柵電極的至少一部分與溝道區(qū)疊置，
其中，絕緣層包括位于有源層的溝道區(qū)和柵電極的所述至少一部分之間的柵極絕緣層以及位于柵極絕緣層上的層間絕緣層。
10.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，基板包括布置薄膜晶體管和有機發(fā)光層的顯示區(qū)域以及布置對準標志的位于顯示區(qū)域的外圍的邊緣區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，所述有機發(fā)光二極管顯示設備還包括在基板的邊緣區(qū)域中、沿著基板的邊緣區(qū)域的邊緣并且在絕緣層中的護圈，
其中，對準標志位于護圈上并位于絕緣層的上表面上。
12.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，所述有機發(fā)光二極管顯示設備還包括在基板的邊緣區(qū)域中、沿著基板的邊緣區(qū)域的邊緣并且在絕緣層中的護圈，
其中，對準標志位于護圈和顯示區(qū)域之間并位于絕緣層的上表面上。
13.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光二極管顯示設備，其中，護圈被像素限定層覆蓋。
14.一種制造有機發(fā)光二極管顯示設備的方法，所述方法包括：
在基板上形成絕緣層；
在絕緣層上形成包括絕緣材料的對準標志，使得對準標志的下表面接觸絕緣層的上表面；
通過使用對準標志對準基板。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成絕緣層的步驟包括：
在基板上形成下絕緣層；
在下絕緣層上并且在對準標志下面形成輔助對準標志，以與對準標志相對應；
在下絕緣層上形成上絕緣層，以覆蓋輔助對準標志。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括：
在基板上形成薄膜晶體管；
形成電連接到薄膜晶體管的像素電極；
執(zhí)行圖案化工藝，以同時形成像素限定層和對準標志，像素限定層限定像素并且暴露像素電極的一部分。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括在通過使用對準標志而對準的基板的像素電極的一部分上形成有機發(fā)光層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
