[發明專利]一種用于提高理論光譜數據庫創建速度的方法及裝置

在審

• 申請號: 201310505175.3
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN104572742A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 張振生;徐益平;黃鯤;王鑫;施耀明
• 申請（專利權）人: 睿勵科學儀器（上海）有限公司
• 主分類號: G06F17/30
• 分類號: G06F17/30
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 羅朋

技術領域

本發明涉及集成電路制造的工藝控制技術，尤其涉及一種提高光學關鍵尺寸【Optics?Critical?Dimension（OCD）】測量技術的理論光譜數據庫創建速度的方法及裝置。

背景技術

隨著半導體工業向深亞微米技術節點持續推進，集成電路器件尺寸不斷縮小，器件結構設計愈加復雜。只有通過嚴格的工藝控制才能獲得功能完整的電路和高速工作的器件。

光學關鍵尺寸測量技術是當前半導體制造工藝中一種主流的工藝控制技術，其基本工作原理可描述為：（1）建立與器件樣品的形貌相對應的理論光譜數據庫；（2）通過光學關鍵尺寸測量設備獲得樣品的測量光譜；（3）從理論光譜數據庫中尋找與測量光譜最佳匹配的特征光譜，從而確定該樣品的形貌參數。

基于庫的光譜匹配方法需要大量的數值計算，通常在測量之前在專用計算服務器上建立。匹配測量光譜時，從已經建立的理論光譜數據庫中找出與測量光譜最佳匹配的光譜，并索引出各個參數值。

然而，隨著半導體技術的發展，需要測量的集成電路器件樣品的結構形貌越來越復雜，由此樣品理論光譜數據庫的變量個數也更多；并且，工藝控制對測量精度要求越來越高，理論光譜數據庫的變量的步長更精細；同時為了避免局部的匹配，理論光譜數據庫中參數范圍也越來越大。在此情況下，理論光譜數據庫的數據量越來越大，如何提高理論光譜數據庫的創建速度尤為重要。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種提高理論光譜數據庫創建速度的方法及裝置，以既保證光學關鍵尺寸測量結果的準確度，又能提高光學關鍵尺寸理論光譜數據庫的創建速度。

根據本發明的一個方面，提供一種提高光學關鍵尺寸測量技術的理論光譜數據庫創建速度的方法，其中，包括：

獲取光學關鍵尺寸模型在每個波長點的不同傅里葉展開階數對應的光譜數據；

對在每個波長點的不同展開階數所獲取的光譜數據進行收斂分析，來確定該波長點的滿足預定收斂條件的最優展開階數；

根據該光學關鍵尺寸模型在每個波長點的最優展開階數對應的光譜數據，來建立或更新所述光學關鍵尺寸模型的理論光譜數據庫。

根據本發明的另一個方面，還提供了一種提高光學關鍵尺寸測量技術的理論光譜數據庫創建速度的裝置，其中，包括：

理論光譜數據獲取裝置，用于獲取光學關鍵尺寸模型在每個波長點的不同傅里葉展開階數對應的理論光譜數據；

最優展開階數確定裝置，用于對在每個波長點的不同展開階數所獲取的光譜數據進行收斂分析，來確定該波長點的滿足預定收斂條件的最優展開階數；

理論光譜數據庫建立更新裝置，用于根據該光學關鍵尺寸模型在每個波長點的最優展開階數對應的光譜數據，來建立或更新所述光學關鍵尺寸模型的理論光譜數據庫。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：本發明通過確定OCD模型在每個波長點的最優展開階數，來獲取最優展開階數對應的光譜數據，用于建立OCD模型的理論光譜數據庫，不同于現有技術對所有波長點采用同樣的展開階數進行光譜數據的計算，從而既保證了測量結果的準確度，又提高了理論光譜數據庫的創建速度。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：

圖1為根據本發明一個實施例的一種建立用于OCD測量的理論光譜數據庫的方法流程圖；

圖2為二維待測量樣品的結構示意圖；

圖3為根據本發明一個實施例的一種建立用于OCD測量的理論光譜數據庫的裝置示意圖。

附圖中相同或相似的附圖標記代表相同或相似的部件。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步詳細描述。

圖1是根據本發明一個實施例的一種提高OCD測量技術的理論光譜數據庫創建速度的方法流程圖。

如圖1所示，在步驟S101中，獲取OCD模型在每個波長點的不同傅里葉展開階數對應的光譜數據。

優選地，可以基于不浮動所述OCD模型的模型參數，來計算獲取該OCD模型在每個波長點的不同展開階數對應的光譜數據。

優選地，可以基于浮動所述OCD模型的模型參數，來計算獲取該OCD模型在每個波長點的不同展開階數對應的光譜數據。

下面以一個示例來說明如何獲取OCD模型在每個波長點的不同展開階數對應的光譜數據。

示例1