[發(fā)明專利]三進(jìn)制電存儲材料及其制備和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310497319.5
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103497176A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路建美;李華
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: C07D401/12
• 分類號: C07D401/12;C08F293/00;C08F220/36;C08F220/34;H01L51/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種三進(jìn)制電存儲材料，其特征在于，所述三進(jìn)制電存儲材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)通式為：

其中，x為5～9；y為1～5；數(shù)均分子量為11000～13000，分子量分布為1.4～1.6，R為-Br、或-H、或-NO₂、或-N(CH₂CH₃)₂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三進(jìn)制電存儲材料，其特征在于，所述三進(jìn)制電存儲材料為無規(guī)共聚物、或嵌段共聚物。

3.一種制備權(quán)利要求1所述的三進(jìn)制電存儲材料的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

將咔唑進(jìn)行烷基化，然后與甲基丙烯酰氯反應(yīng)，形成第一單體，將萘酐或經(jīng)過修飾的萘酐進(jìn)行烷基化，然后與甲基丙烯酰氯反應(yīng)，形成第二單體；

在保護(hù)氣體的保護(hù)下，將第一單體、第二單體、以及引發(fā)劑按照摩爾比1:1:0.01～1:0.1:0.01與環(huán)己酮加入到試管中進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后，將反應(yīng)液倒入甲醇溶液中沉淀出產(chǎn)物，過濾并烘干獲得最終產(chǎn)物。

4.一種制備權(quán)利要求1所述的三進(jìn)制電存儲材料的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

將咔唑進(jìn)行烷基化，然后與甲基丙烯酰氯反應(yīng)，形成第一單體，將萘酐或經(jīng)過修飾的萘酐進(jìn)行烷基化，然后與甲基丙烯酰氯反應(yīng)，形成第二單體；

在保護(hù)氣體的保護(hù)下，將第一單體、RAFT試劑、引發(fā)劑、和3ml的環(huán)己酮加入到試管中進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后，將反應(yīng)液倒入甲醇溶液中沉淀出產(chǎn)物，過濾并烘干，然后將過濾烘干后的中間產(chǎn)物、第二單體、引發(fā)劑、以及環(huán)己酮加入到另一試管中進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后，將反應(yīng)液倒入甲醇溶液中沉淀出產(chǎn)物，過濾并烘干獲得最終產(chǎn)物。

5.一種采用權(quán)利要求1所述的三進(jìn)制電存儲材料制得的三進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲器件，所述三進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲器件包括底電極和頂電極，其特征在于，所述三級制數(shù)據(jù)存儲器件還包括聚合物薄膜層，所述聚合物薄膜層位于所述底電極和頂電極之間，所述底電極、聚合物薄膜層、頂電極呈層狀形式排列，所述聚合物薄膜層的材質(zhì)為通式為（I）的三進(jìn)制電存儲材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲器件，其特征在于，所述底電極的厚度為10～300nm，所述聚合物薄膜層的厚度為20～150nm，所述頂電極的厚度為20-300nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲器件，其特征在于，所述底電極的材料選自：ITO導(dǎo)電玻璃、可蒸鍍金屬或?qū)щ娋酆衔铮黄渲校隹烧翦兘饘贋椋航稹⒒蜚K、或銀、或鋁、或銅；所述導(dǎo)電聚合物為：聚噻吩、或聚苯胺。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲器件，其特征在于，所述頂電極的材料選自：可蒸鍍金屬、或金屬氧化物；其中，所述可蒸鍍金屬為：金、或鉑、或鋁、或銅；所述金屬氧化物為氧化銦錫。

9.應(yīng)用權(quán)利要求1所述三進(jìn)制電存儲材料制備三進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：在底電極上將所述三進(jìn)制電存儲材料旋涂成膜，形成一層20～150nm活性層；再在三進(jìn)制電存儲材料上真空沉積一層頂電極，制成“底電極/三進(jìn)制電存儲材料/頂電極”的層狀結(jié)構(gòu)器件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備三進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲器件的方法，其特征在于，所述底電極的材料選自：ITO導(dǎo)電玻璃、可蒸鍍金屬、或?qū)щ娋酆衔铮黄渲校隹烧翦兘饘贋椋航稹⒒蜚K、或銀、或鋁、或銅；所述導(dǎo)電聚合物為：聚噻吩、或聚苯胺；

所述頂電極的材料選自：可蒸鍍金屬、或金屬氧化物；其中，所述可蒸鍍金屬為：金、或鉑、或鋁、或銅；所述金屬氧化物為氧化銦錫。