[發明專利]一種P型絕緣柵雙極型晶體管結構

有效

• 申請號: 201310496804.0
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN103618002A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;戴偉楠;楊卓;孫華芳;祝靖;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 江蘇永衡昭輝律師事務所 32250
• 代理人: 王斌

1.一種P型絕緣柵雙極型晶體管結構，包括兼做集電區的N型摻雜硅襯底(2)，在N型摻雜硅襯底(2)下方設有集電極金屬(1)，在N型摻雜硅襯底(2)上方設有P型摻雜硅緩沖層(3)，在P型摻雜硅緩沖層(3)上方設有P型輕摻雜硅外延層(4)，在P型輕摻雜硅外延層(4)內設有N型摻雜半導體區(7)，在N型摻雜半導體區(7)中設有P型重摻雜半導體區(8)和N型重摻雜半導體區(9)，其特征在于，在P型輕摻雜硅外延層(4)內還設有N型柱（5），在N型柱(5)和P型輕摻雜硅外延層(4)之間設有介質層(6)，在N型柱(5)中也設有N型重摻雜半導體區(9)，在P型輕摻雜硅外延層(4)上方設有柵氧化層(10)，在柵氧化層(10)上方設有多晶硅柵(11)，并且，所述多晶硅柵(11)始于介質層(6)的上方并止于與介質層(6)相鄰的P型重摻雜半導體區(8)的上方，在多晶硅柵(11)上方設有氧化層(12)，在氧化層(12)上方設有發射極金屬(13)，P型重摻雜半導體區(8)和N型重摻雜半導體區(9)與發射極金屬(13)電連接。

2.根據權利要求1所述的一種P型絕緣柵雙極型晶體管結構，其特征在于，介質層(6)的寬度范圍為0.5um至5um，介質層(6)的深度范圍為10um至100um；介質層(6)采用的材料為二氧化硅或氮化硅等。

3.根據權利要求1所述的一種P型絕緣柵雙極型晶體管結構，其特征在于，N型柱(5)的摻雜濃度范圍為1e13cm^-3至5e16cm^-3；N型柱(5)的寬度范圍為1um至10um；N型柱(5)的深度范圍為1um至100um。