[發明專利]一種發光二極管打線電極的制造方法

有效

• 申請號: 201310496783.2
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103594587A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 叢國芳
• 申請（專利權）人: 溧陽市東大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種發光二極管打線電極的制造方法，依次包括如下步驟：

（1）自下而上依次形成p型半導體層、半導體發光層和n型半導體層；

（2）在n型半導體層上形成透明的平坦電極；

（3）在平坦電極上蒸鍍合金金屬層；

（4）對合金金屬層進行光刻、刻蝕工藝，從而將合金金屬層形成為凸塊電極；

（5）對凸塊電極的上表面以及所有側表面進行粗化處理，從而形成凸塊粗化電極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

其中，凸塊粗化電極包括一個第一凸塊粗化電極，多個第二凸塊和多個第三凸塊粗化電極；

其中，第一凸塊粗化電極位于發光二極管打線電極的中心，多個第二凸塊粗化電極位于以第一凸塊粗化電極為中心的相互垂直的交叉線上，從而與第一凸塊粗化電極形成十字形；多個第三凸塊粗化電極位于正方形的發光二極管打線電極的四個角落；

其中，第一凸塊粗化電極和多個第三凸塊粗化電極的俯視平面形狀為正方形，第一凸塊粗化電極邊長為第三凸塊粗化電極邊長的兩倍；多個第二凸塊粗化電極的俯視平面形狀為長方形，其長等于第一凸塊粗化電極的邊長，其寬等于第三凸塊粗化電極的邊長；其中，第一凸塊粗化電極、第二凸塊粗化電極、第三凸塊粗化電極的高度相同。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：

在步驟（5），采用氫氟酸等化學藥品對凸塊電極的上表面以及所有側表面進行腐蝕，從而在凸塊電極的上表面以及所有側表面形成表面粗化結構，該表面粗化結構的表面粗糙度在10nm以上、15nm以下，優選為12nm。