[發明專利]一種CuO/CoTiO3復合氣敏薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201310485315.5 | 申請日： | 2013-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN103572232A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 盧靖;張亞賓;黃劍鋒;曹麗云 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710021 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cuo cotio sub 復合 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種CuO/CoTiO3復合氣敏薄膜的制備方法，其特征在于：
1）以分析純的TiO2和Co3O4為原料，分別與粘結劑混合，在50MPa-100MPa，200℃-700℃下預燒，制備出TiO2靶材和Co3O4靶材，并將TiO2靶材和Co3O4靶材分別放入磁控濺射儀的兩個射頻靶位中，將純度為99.99%的Cu靶放入直流濺射靶位；
2）將干凈的Si基片放入磁控濺射儀的鍍膜樣品臺上，通過真空系統將鍍膜室和樣品室內抽真空，當真空度達到1.0×10-4Pa-9.9×10-4Pa時，鍍膜室通入Ar氣，控制Ar氣流量在10sccm-30sccm，使鍍膜室和樣品室內壓強為0.2Pa-2Pa；
3）設置兩射頻靶電源功率為100-400W，并且使濺射出的Ti，Co原子摩爾比為1︰（0.5-2），同時調節直流靶功率為20W-200W，濺射10min-90min后將濺射得到的前驅體薄膜放入馬弗爐中控制煅燒溫度在300℃-700℃，煅燒0.5h-3h，隨爐冷卻得到最終產物。
2.根據權利要求1所述的CuO/CoTiO3復合氣敏薄膜的制備方法，其特征在于：所述磁控濺射儀的靶材與基片之間安裝有擋板，在步驟3）中先預濺射15min-30min后，移開靶材和基片的擋板，開始向基片鍍膜。
3.根據權利要求1所述的CuO/CoTiO3復合氣敏薄膜的制備方法，其特征在于：所述的Si基片先在無水乙醇中超聲清洗10min，然后置于H2O2和濃H2SO4混合溶液中浸泡10min，最后用去離子水超聲清洗10min取出N2吹干，所述的H2O2與濃H2SO4的體積比為1︰（1-4）。
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