[發明專利]一種赫賽汀修飾的載有量子點/四氧化三鐵的磁性熒光二氧化硅納米粒的制備方法

無效

• 申請號: 201310485311.7
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN104560009A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 潘杰;卞雨霞;萬冬;盧濤
• 申請（專利權）人: 天津工業大學
• 主分類號: C09K11/06
• 分類號: C09K11/06;C09K11/02;B82Y30/00;B82Y40/00;H01F1/11;C12N5/09
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1.一種赫賽汀修飾的多面體低聚倍半氧硅烷共軛量子點-二氧化硅/四氧化三鐵納米粒的制備方法，其特征在于本發明提供的方法為：首先制備多面體低聚倍半氧硅烷(POSS)共軛的量子點，隨后用二氧化硅球包覆POSS共軛的量子點(QD-SiNP)，然后將用溴修飾的四氧化三鐵(Br-IO)共軛到QD-SiNP的外層(IO-QD-SiNP)，最后將赫賽汀共軛到IO-QD-SiNP上，最終得到了赫賽汀修飾的多面體低聚倍半氧硅烷共軛量子點-二氧化硅/四氧化三鐵納米粒，一種具有熒光和磁性的靶向復合納米粒。

2.根據權利要求1所述的一種赫賽汀修飾的多面體低聚倍半氧硅烷共軛量子點-二氧化硅/四氧化三鐵納米粒的制備方法，其特征在于所述的量子點為多面體低聚倍半氧硅烷修飾的。

3.根據權利要求1所述的一種赫賽汀修飾的多面體低聚倍半氧硅烷共軛量子點-二氧化硅/四氧化三鐵納米粒的制備方法，其特征在于所述的四氧化三鐵為Br修飾的。

4.根據權利要求1所述的一種赫賽汀修飾的多面體低聚倍半氧硅烷共軛量子點-二氧化硅/四氧化三鐵納米粒的制備方法，其特征在于所述的納米粒為赫賽汀修飾的。