[發明專利]具有內嵌元件及電磁屏障的線路板

有效

• 申請號: 201310485264.6
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN103779333B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 林文強;王家忠
• 申請（專利權）人: 鈺橋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

技術領域

本發明是關于一種具有內嵌元件、及電磁屏障的線路，尤指一種具有屏蔽蓋和屏蔽狹槽的線路板，其中，屏蔽蓋和屏蔽狹槽可分別做為內嵌元件的水平及垂直屏障。

背景技術

半導體元件易受到電磁干擾(EMI)或是其他內部元件干擾，例如在高頻模式操作時的電容、感應、導電耦合等。當半導體芯片為了微型化而與彼此緊密地設置時，這些不良干擾的嚴重性可能會大幅上升。為了減少電磁干擾，在某些半導體元件及模塊上可能需要屏障。

Bolognia等人的美國專利號8,102,032、Pagaila等人的美國專利號8,105,872、Fuentes等人的美國專利號8,093,691、Chi等人的美國專利號8，314，486及美國專利號8,349,658揭示用于半導體元件屏障的各種方法，包括金屬罐、線狀網(wire?fences)、或球狀網(ball?fences)。上述所有方法皆設計用于組裝于基板及屏蔽材料(例如金屬罐、金屬膜、線狀或球狀網)上的元件，屏蔽材料皆為外部添加的形式，其需要額外空間，因而增加半導體封裝的尺寸及額外耗費。

Ito等人的美國專利號7,929,313、美國專利號7,957,154及美國專利號8,168,893揭露一種使用位于樹脂層中的導電盲孔以形成電磁屏障層的方法，該電磁屏障層環繞用于容納內嵌半導體元件的凹陷部分。此種結構確保在小空間中內嵌元件的優異電性屏蔽，但導電盲孔的深度需要如同半導體元件的厚度，故鉆孔及被覆孔洞時受到高縱橫比的限制，且僅能容納一些超薄的元件。此外，由于作為芯片放置區域的凹陷部分是于導電盲孔金屬化后形成，因對準性差造成半導體元件錯位，進而使此方法在大量制造時產率極低。

發明內容

本發明是有鑒于以上的情形而發展，其目的在于提供一種具有內嵌元件、及電磁屏障的線路，電磁屏障可有效屏蔽內嵌元件免于電磁干擾。據此，本發明提供一種包括半導體元件、核心層、屏蔽狹槽、屏蔽蓋、第一增層電路、及選擇性地包含第二增層電路的線路板。此外，本發明亦提供另一線路板，其包含半導體元件、核心層、屏蔽狹槽、第一增層電路、及具有屏蔽蓋的第二增層電路。

在一較佳實施態樣中，屏蔽狹槽及屏蔽蓋是與半導體元件的至少一接地接觸墊電性連接，且可分別做為半導體元件的水平及垂直屏障。核心層于垂直于該垂直方向的側面方向側向覆蓋該半導體元件，屏蔽蓋于第二垂直方向覆蓋半導體元件，第一增層電路及第二增層電路分別白第一及第二垂直方向覆蓋半導體元件及核心層。

本發明的線路板可還包括一定位件，其可作為半導體元件的配置導件，該定位件于側面方向靠近及側向對準該半導體元件的外圍邊緣。該定位件可于第一垂直方向接觸該第二增層電路的屏蔽蓋或絕緣層，及于第一垂直方向自該第二增層電路的屏蔽蓋或絕緣層朝延伸，或自該第一增層電路的絕緣層于第二垂直方向延伸。例如，該定位件可自第二增層電路的絕緣層或屏蔽蓋于第一垂直方向延伸，并延伸超過該半導體元件的非主動面；或自第一增層電路的絕緣層于第二垂直方向延伸，或延伸超過該半導體元件的主動面。在任何條件下，該定位件是位于半導體元件的外圍邊緣外，并靠近半導體元件的外圍邊緣。

該半導體元件包含一具有多個接觸墊的主動面、及與該主動面相反的一非主動面。該半導體元件的主動面面朝該第一垂直方向并背向該第二增層電路或屏蔽蓋，且該半導體元件的非主動面面朝該第二垂直方向并朝向該第二增層電路或屏蔽蓋。該半導體元件可利用一黏著劑固定在第一或第二增層電路上、或設置在屏蔽蓋上。

該核心層可接觸并環繞該半導體元件的側壁及該定位件，且與該半導體元件的側壁及該定位件同形被覆，及自該半導體元件及該定位件側向延伸至該線路板的外圍邊緣。該核心層可由預浸材料制成，例如環氧樹指、BT、聚酰亞胺及它種樹脂或樹脂/玻璃復合物。