[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、修復方法和陣列基板

有效

• 申請號: 201310484547.9
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN103489923B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 金基用;羅麗平;許朝欽;李正勛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/768
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、修復方法，以及包括該薄膜晶體管的陣列基板。

背景技術

目前，常用的液晶顯示器為主動式陣列液晶顯示器，其結構主要包括陣列基板、彩膜基板以及位于兩塊基板之間的液晶分子層。其中，如圖1、圖2和圖3所示，陣列基板上設置有多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管1和像素電極20。薄膜晶體管1作為控制像素電極的開關，決定像素電極20上是否施加電壓，從而決定像素單元能否正常顯示。薄膜晶體管1通常包括柵極12、柵極絕緣層13、有源層14和源極16、漏極17等結構。

在陣列基板的制作過程中，薄膜晶體管1的源極16和漏極17在一次構圖工藝中形成，源極16和漏極17之間容易出現短路現象。尤其是當陣列基板制作過程中使用灰階或半色調掩膜板時，使用一個掩膜板經過一次曝光，并經刻蝕后，即可形成源極16、漏極17和有源層14，因此更容易出現源極16和漏極17短路的現象。

發明人發現，現有技術中，當某個像素單元包括的薄膜晶體管1的源極16和漏極17發生短路時，常采用的修復辦法為將薄膜晶體管1的源極16與數據線15相連接部分切斷，使該像素單元成為暗點。上述的修復辦法會導致陣列基板的良品率下降。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種薄膜晶體管及其制作方法、修復方法，解決了薄膜晶體管經修復后不能正常工作，以及包括該薄膜晶體管的陣列基板經修復后像素單元成為暗點，影響陣列基板良品率的技術問題。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供的一種薄膜晶體管采用如下技術方案：

一種薄膜晶體管，包括：柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，所述源極包括相互獨立的第一源極部和第二源極部，所述第一源極部和所述第二源極部分別與所述有源層電連接；

和/或，

所述漏極包括相互獨立的第一漏極部和第二漏極部，所述第一漏極部和所述第二漏極部分別與所述有源層電連接。

所述第一源極部與所述第二源極部同層設置；所述第一漏極部與所述第二漏極部同層設置。

所述源極和所述漏極同層設置，所述源極包括相互獨立的第一源極部和第二源極部，所述漏極位于所述第一源極部和所述第二源極部之間。

所述源極和所述漏極同層設置，所述漏極包括相互獨立的第一漏極部和第二漏極部，所述第一漏極部和所述第二漏極部均位于所述第一源極部和所述第二源極部之間。

所述源極和所述漏極同層設置，所述漏極包括相互獨立的第一漏極部和第二漏極部，所述第一漏極部和所述第二漏極部并排設置且位于所述源極的開口內。

本發明實施例提供的薄膜晶體管具有如上所述的結構，薄膜晶體管中的源極或者漏極包括多個相互獨立的源極部或者漏極部，使得陣列基板的數據線和像素電極之間形成多個并聯的導電通道，當薄膜晶體管的源極和漏極之間發生短路時，只需要將具體發生短路的導電通道切斷即可實現對薄膜晶體管的修復，修復后的薄膜晶體管能夠正常工作，且修復后的陣列基板上的像素單元可以正常顯示，提高了陣列基板的良品率。

本發明實施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括多條柵線和多條數據線，以及由所述多條柵線和所述多條數據線限定的多個像素單元，所述像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用如上所述的薄膜晶體管。

所述薄膜晶體管的所述第一源極部和所述第二源極部分別獨立地連接同一數據線；和/或所述第一漏極部和所述第二漏極部分別獨立地連接同一像素電極。

為了進一步解決上述技術問題，本發明實施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，采用如下技術方案：

該薄膜晶體管制作方法包括：

形成包括源極和漏極的源漏極層圖形，其中，所述源極包括相互獨立的第一源極部和第二源極部；

和/或，

所述漏極包括相互獨立的第一漏極部和第二漏極部。

該薄膜晶體管的制作方法包括：

形成柵極層薄膜，通過一次構圖工藝，形成包括柵極的柵極層圖形；

形成柵極絕緣層；

形成有源層薄膜和源漏極層薄膜，通過一次構圖工藝，形成有源層和包括源極、漏極的源漏極層圖形，所述源極包括與所述有源層電連接的且相互獨立的所述第一源極部和所述第二源極部；和/或，所述漏極包括與所述有源層電連接的且相互獨立的所述第一漏極部和所述第二漏極部；

形成鈍化層薄膜，通過一次構圖工藝，形成包括過孔的鈍化層圖形；