[發明專利]多晶硅還原爐用絕緣磁環及其制作方法

有效

• 申請號: 201310484482.8
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN103553580A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 吳丹舟;何釗煊;鄧亮亮;孫前頌
• 申請（專利權）人: 徐州協鑫太陽能材料有限公司
• 主分類號: C04B35/14
• 分類號: C04B35/14;C04B35/622
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

1.一種多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

按照如下質量百分比稱取各組分：20%～30%的純水、20%～30%的熔融石英砂塊料以及40%～60%的4～20目熔融石英砂顆粒，加入分散劑將各組分混合后進行球磨處理，制備中值粒徑為7.0～12.0μm、含水量為15%～25%的原漿，其中，所述分散劑的用量為15～30g/1000kg原漿；

在30～40℃的環境下對所述原漿進行均化陳腐處理，均化陳腐過程中保持對原漿進行持續攪拌，以得到具有如下指標的均化陳腐后的原漿：含水量16%～21%、漿料黏度不大于200cP及pH?5～6；

在30～40℃的環境下，稱取質量百分比50%～80%的均化陳腐后的原漿、15%～35%的50～100目熔融石英砂顆粒以及5%～25%的100～200目或120F熔融石英砂粉末混合后進行球磨處理，再加入粘結劑溶液，混勻后制備密度不小于1.8g/cm³、黏度為1500～2500cP、含水量11%～13%、流動性為75～125mm/30s的澆注漿料，其中所述粘結劑溶液中粘結劑與水的質量比為0.5～4:100，粘結劑溶液的加入量為2～4L/1000kg澆注漿料；

以20～30mL/1000kg澆注漿料的比例向所述澆注漿料中加入消泡劑，并對加入消泡劑的所述澆注漿料進行抽真空處理；

在濕度為40%～60%、溫度為25～35℃的環境中，將抽真空處理后的澆注漿料澆注進注漿模具中，待所述澆注漿料成型后，進行脫模操作，得到絕緣磁環坯體；

將所述絕緣磁環坯體依次進行烘干、燒結及拋光處理，得到所述多晶硅還原爐用絕緣磁環。

2.如權利要求1所述的多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，所述分散劑為聚乙烯二醇硬脂肪酸酯、醇類化合物、聚丙烯烯酸鹽酯或聚甲基苯烯酸鹽。

3.如權利要求1所述的多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，所述粘結劑為羧甲基纖維素或木質素磺酸鈉。

4.如權利要求1所述的多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，所述消泡劑為正辛醇或聚醚多元醇。

5.如權利要求1所述的多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，所述均化陳腐處理的時間為5～7天。

6.如權利要求1所述的多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，將均化陳腐后的原漿、50～100目熔融石英砂顆粒以及120F熔融石英砂粉末混合后的球磨處理過程是使用行星球磨機進行球磨處理30分鐘，再加入粘結劑攪拌5～10分鐘混勻。

7.如權利要求1所述的多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，所述將澆注漿料澆注進注漿模具過程中使用加壓澆注法，澆注過程中對澆注漿料施加高度差不小于0.3m的作用壓力。

8.如權利要求1所述的多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，所述拋光處理包括先用粗磨刀進行粗拋處理，再對粗拋處理后得到的產品使用細磨刀進行精拋處理。

9.如權利要求1所述的多晶硅還原爐用絕緣磁環的制作方法，其特征在于，還包括在拋光處理后得到的絕緣磁環上涂布顯影液，在光照下進行內部缺陷檢測，將有內部缺陷的產品去除，并將內部缺陷檢測合格的產品清洗、烘干后進行耐電壓測試，得到產品的最大耐壓參數，以得到符合要求的多晶硅還原爐用絕緣磁環。

10.一種使用如權利要求1-9中任一項所述的制作方法制作得到的多晶硅還原爐用絕緣磁環。