[發明專利]薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201310483122.6
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN103500711B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 李文輝;曾志遠
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/266
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管為底柵共平面結構，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供基片(20)；

步驟2、在基片(20)上形成柵極(22)；

步驟3、在柵極(22)與基片(20)上形成柵極絕緣層(24)；

步驟4、在柵極絕緣層(24)上形成源/漏極(26)，且該源/漏極(26)上覆蓋有感光材料層(27)；

步驟5、對柵極絕緣層(24)表面(242)進行等離子體處理；

步驟6、去除源/漏極(26)上的感光材料層(27)；

步驟7、在源/漏極(26)及柵極絕緣層(24)上形成氧化物半導體層(28)，并圖案化該氧化物半導體層(28)；

所述步驟4包括：先在柵極絕緣層(24)上依次形成金屬層與感光材料層(27)，再通過掩模板對感光材料層(27)進行曝光，去除曝光的感光材料層后，對露出的金屬層進行蝕刻，進而形成源/漏極(26)，且該源/漏極(26)覆蓋有感光材料層(27)；

所述等離子體為氯基等離子體；

以氯基等離子體進行等離子體處理時，腔體內氣壓為2.0～100mT，高射頻為10～30000W；低射頻為10～20000W；冷卻氣壓為10～10000mT；氣體體積流量為10～5000sccm；處理時間為1～150S；

所述柵極絕緣層(24)包含有氧化硅、氮化硅其中之一或其組合；

所述氧化物半導體層(28)為銦鎵鋅氧化物半導體層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述基片(20)為玻璃基片。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極(22)、源/漏極(26)包含有鋁。

4.一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管為底柵共平面結構，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供基片(20)；

步驟2、在基片(20)上形成柵極(22)；

步驟3、在柵極(22)與基片(20)上形成柵極絕緣層(24)；

步驟4、在柵極絕緣層(24)上形成源/漏極(26)，且該源/漏極(26)上覆蓋有感光材料層(27)；

步驟5、對柵極絕緣層(24)表面(242)進行等離子體處理；

步驟6、去除源/漏極(26)上的感光材料層(27)；

步驟7、在源/漏極(26)及柵極絕緣層(24)上形成氧化物半導體層(28)，并圖案化該氧化物半導體層(28)；

所述步驟4包括：先在柵極絕緣層(24)上依次形成金屬層與感光材料層(27)，再通過掩模板對感光材料層(27)進行曝光，去除曝光的感光材料層后，對露出的金屬層進行蝕刻，進而形成源/漏極(26)，且該源/漏極(26)覆蓋有感光材料層(27)；

所述等離子體為氟基等離子體；

以氟基等離子體進行等離子體處理時，腔體內氣壓為2.0～100mT，高射頻為10～30000W；低射頻為10～20000W；冷卻氣壓為10～10000mT；氣體體積流量為10～5000sccm；處理時間為1～150S；

所述柵極絕緣層(24)包含有氧化硅、氮化硅其中之一或其組合；

所述氧化物半導體層(28)為銦鎵鋅氧化物半導體層。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述基片(20)為玻璃基片。

6.如權利要求4所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極(22)、源/漏極(26)包含有鋁。