[發(fā)明專利]一種BIPV薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310480653.X | 申請(qǐng)日: | 2013-10-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103489964A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 種雷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東禹城漢能光伏有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
| 地址: | 251200 山東省德州*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 bipv 薄膜 太陽(yáng)能電池 制作方法 | ||
背景技術(shù)
目前BIPV薄膜太陽(yáng)能電池一般都是采用激光劃線制作,傳統(tǒng)制作工藝通中常采用4次激光劃線,分別為:TCO膜激光刻線、半導(dǎo)體膜激光刻線、背電極激光刻線,TCO膜或半導(dǎo)體膜激光刻線。TCO玻璃基板(來(lái)料)先經(jīng)過(guò)清洗工藝后,然后依次進(jìn)行TCO膜激光劃線、半導(dǎo)體鍍膜、半導(dǎo)體膜激光劃線、背電極鍍膜、背電極激光劃線、TCO膜或半導(dǎo)體膜激光劃線的步驟,以實(shí)現(xiàn)刻劃出透明效果。傳統(tǒng)工藝技術(shù)目前存在2個(gè)缺點(diǎn)。第一,激光刻劃線寬窗口太小,激光線寬寬度和激光器功率成正比,一種激光器的刻線線寬參數(shù)基本是固定的,激光刻劃寬度可調(diào)范圍太小,而在TCO膜或半導(dǎo)體膜激光刻線過(guò)程中由于刻線寬度越寬透光率越高,因此就需要進(jìn)行多次往復(fù)激光刻線以提高透光率,因此生產(chǎn)效率低。第二,進(jìn)行TCO膜或半導(dǎo)體膜激光刻線時(shí)需要刻劃很多條線,機(jī)臺(tái)生產(chǎn)能力是一個(gè)瓶頸,一臺(tái)普通激光機(jī)臺(tái)(一般2個(gè)激光器)需要1、2個(gè)小時(shí)完成一片產(chǎn)品。如果增加多個(gè)激光機(jī)臺(tái),會(huì)大幅增加生產(chǎn)成本。????
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服以上技術(shù)的不足,提供了一種線寬寬度可調(diào)、刻線效率高的BIPV薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法。
本發(fā)明克服其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
本BIPV薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法,依次包括如下步驟:
(1)將TCO玻璃基板進(jìn)行清洗;(2)將清洗后的基板放置到激光機(jī)臺(tái)上進(jìn)行TCO膜激光刻線;(3)將刻線后的基板再次清洗;(4)將噴涂后的基板進(jìn)行半導(dǎo)體鍍膜;(5)將鍍膜后的基板放置到激光機(jī)臺(tái)上進(jìn)行半導(dǎo)體膜激光刻線;(6)將水溶性的剝離劑利用壓縮空氣通過(guò)若干噴頭在基板上噴涂若干直線;(7)將刻線后的基板進(jìn)行背電極鍍膜;(8)將鍍膜后的基板進(jìn)行背電極激光刻線;(9)將刻線后的基板進(jìn)行浸泡清洗,基板上噴有剝離劑的部位的背電極膜在浸泡清洗中脫落。
上述剝離劑為水溶性聚苯胺類材料或者可溶性聚芳酰胺材料。
上述步驟(6)中噴涂的剝離劑直線線寬為0.01-5mm。
上述步驟(6)中噴涂剝離劑時(shí),當(dāng)剝離劑噴涂方向與TCO膜上的激光刻線的方向相平行時(shí),噴涂的若干剝離劑線條是不連續(xù)的,每條剝離劑線條由N段組成當(dāng)剝離劑噴涂方向與TCO膜上的激光刻線的方向相垂直時(shí),剝離劑線條為若干條連續(xù)的直線。
本BIPV薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法,依次包括如下步驟:
(1)將TCO玻璃基板進(jìn)行清洗;(2)將清洗后的基板放置到激光機(jī)臺(tái)上進(jìn)行TCO膜激光刻線;(3)將刻線后的基板再次清洗;(4)將水溶性的剝離劑利用壓縮空氣通過(guò)若干噴頭在基板上噴涂若干直線;(5)將噴涂后的基板進(jìn)行半導(dǎo)體鍍膜;(6)將鍍膜后的基板放置到激光機(jī)臺(tái)上進(jìn)行半導(dǎo)體膜激光刻線;(7)將刻線后的基板進(jìn)行背電極鍍膜;(8)將鍍膜后的基板進(jìn)行背電極激光刻線;(9)將刻線后的基板進(jìn)行浸泡清洗,基板上噴有剝離劑的部位的半導(dǎo)體膜以及背電極膜在浸泡清洗中脫落。
上述剝離劑為水溶性聚苯胺類材料或者可溶性耐高溫聚芳酰胺材料。
上述步驟(6)中噴涂的剝離劑直線線寬為0.01-5mm。
上述步驟(6)中噴涂剝離劑時(shí),當(dāng)剝離劑噴涂方向與TCO膜上的激光刻線的方向相平行時(shí),噴涂的若干剝離劑線條是不連續(xù)的,每條剝離劑線條由N段組成,當(dāng)剝離劑噴涂方向與TCO膜上的激光刻線的方向相垂直時(shí),剝離劑線條為若干條連續(xù)的直線。
本發(fā)明的有益效果是:剝離劑為水溶性材料,因此在浸泡清洗過(guò)程中剝離劑部位的背電極膜即可清洗去除,從而相對(duì)于傳統(tǒng)的制作方法省略了TCO膜或半導(dǎo)體膜激光刻線的步驟,由于噴頭噴涂剝離劑可以根據(jù)噴頭噴孔的直徑大小方便調(diào)整線寬,因此相對(duì)于激光機(jī)的線寬相對(duì)固定需要多次往復(fù)刻線,本發(fā)明的BIPV薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法可以提高生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本,通過(guò)噴涂、清洗即可快速去除背電極膜,以達(dá)到透明效果。
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附圖說(shuō)明
圖1為傳統(tǒng)工藝的BIPV薄膜太陽(yáng)能電池制作方法;
圖2為本發(fā)明的第一種BIPV薄膜太陽(yáng)能電池制作方法;
圖3為本發(fā)明的第二種BIPV薄膜太陽(yáng)能電池制作方法
圖4為本發(fā)明剝離劑與TCO膜激光刻線平行時(shí)無(wú)剝離劑區(qū)域的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本發(fā)明剝離劑與TCO膜激光刻線平行時(shí)有剝離劑區(qū)域的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖中,1.背電極?2.半導(dǎo)體膜?3.TCO膜?4.基板。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖1、附圖2、附圖3、附圖4、附圖5對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





