[發(fā)明專利]濾波電容器用高方阻金屬化膜在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310479776.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103578755A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 莢朝輝;康仙文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 銅陵其利電子材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01G4/015 | 分類號(hào)： | H01G4/015;H01G4/33 |
| 代理公司： | 安徽信拓律師事務(wù)所 34117 | 代理人： | 鞠翔 |
| 地址： | 244000 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 濾波 電容 器用 高方阻 金屬化 | ||
1.一種濾波電容器用高方阻金屬化膜，其特征在于：包括基膜，所述的基膜上設(shè)置有金屬鍍層，所述金屬鍍層沿基膜寬度方向的一端邊保留一條具有一定寬度的空白留邊，所述金屬鍍層沿基膜寬度方向的另一端邊形成具有一定寬度的邊緣加厚區(qū)，所述邊緣加厚區(qū)與空白留邊之間為非加厚區(qū)，所述邊緣加厚區(qū)的方阻為2-4Ω/□，所述非加厚區(qū)的方阻為6-65Ω/□。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波電容器用高方阻金屬化膜，其特征在于：所述非加厚區(qū)由中間區(qū)和邊緣區(qū)構(gòu)成，所述邊緣區(qū)位于空白留邊的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濾波電容器用高方阻金屬化膜，其特征在于：所述中間區(qū)的方阻為20-30Ω/□。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濾波電容器用高方阻金屬化膜，其特征在于：所述邊緣區(qū)的方阻為50-65Ω/□。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波電容器用高方阻金屬化膜，其特征在于：所述金屬鍍層的厚度從加厚區(qū)向空白留邊區(qū)遞減。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于銅陵其利電子材料有限公司，未經(jīng)銅陵其利電子材料有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310479776.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
