[發明專利]基于頻率選擇表面的多層互補結構太赫茲帶通濾波器無效
| 申請號： | 201310475925.7 | 申請日： | 2013-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN103490125A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 蘭峰;楊梓強;史宗君 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01P1/20 | 分類號： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 成都惠迪專利事務所 51215 | 代理人： | 劉勛 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 頻率 選擇 表面 多層 互補 結構 赫茲 帶通濾波器 | ||
【權利要求書】：
1.基于頻率選擇表面的多層互補結構太赫茲帶通濾波器，其特征在于，包括襯底介質基片（5）和設置于襯底介質基片（5）上下表面的兩個頻率選擇表面層；兩個頻率選擇表面層相對設置，結構相同；每個頻率選擇表面層包括N×N矩陣排列的諧振單元，N≥30；
所述諧振單元由中間鏤空的正方形金屬片形成，鏤空區域為圓形；在鏤空區，沿金屬片對角線方向，每隔90度通過支臂跨接一個環形加載。
2.如權利要求1所述的基于頻率選擇表面的多層互補結構太赫茲帶通濾波器，其特征在于，4個支臂和環形加載為中心對稱設置，對稱中心和鏤空區域的圓心重合，也和金屬片的中心重合。
3.如權利要求1所述的基于頻率選擇表面的多層互補結構太赫茲帶通濾波器，其特征在于，所述襯底介質基片材料采用晶向為0001的單晶石英晶體，介電常數為4.41，磁導率為1，損耗正切為0.0004。
4.如權利要求1所述的基于頻率選擇表面的多層互補結構太赫茲帶通濾波器，其特征在于，環形加載在沿方形金屬邊框中心線方向斷開。
5.如權利要求1所述的基于頻率選擇表面的多層互補結構太赫茲帶通濾波器，其特征在于，所述金屬諧振結構的線條材料為Au、Ag、Cu、Al或Ti/Pt/Au合金。
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