[發(fā)明專利]蝕刻劑組合物、形成LCD布線的方法、陣列基板及其制法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310471239.2
• 申請(qǐng)日: 2013-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN103824808A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李恩遠(yuǎn);金鎮(zhèn)成;李石
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東友FINE-CHEM股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L21/3213;H01L21/28;C09K13/00;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 武晨燕;胡春光

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2012年11月19日遞交的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2012-0130686的權(quán)益，從而通過全文引用將其并入。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及蝕刻劑組合物、使用其來形成布線的方法和制造用于液晶顯示器（LCD）的陣列基板的方法，其中，在用于形成薄膜晶體管（TFT）的布線的包括Mo金屬膜/金屬氧化物膜的雙層中，該蝕刻劑組合物可以使對(duì)下部金屬氧化物膜的侵蝕最小化、對(duì)于上部Mo金屬膜可以形成具有優(yōu)異線性的錐形輪廓并可以選擇性地僅蝕刻上部Mo金屬膜。

背景技術(shù)

根據(jù)基板的種類和所需性能，用于諸如TFT-LCD的半導(dǎo)體裝置的金屬布線材料包括多種金屬或它們的合金，這些金屬或合金的例子可以包括Al、Al-Cu、Ti-W、Ti-N等。具體地，具有低電阻的Al或它的合金主要用于TFT-LCD的源級(jí)引線/漏級(jí)引線。

然而，近來因?yàn)楦鶕?jù)過程簡(jiǎn)化、成本降低和大基板的制造而應(yīng)該提高電性能，正在進(jìn)行取代傳統(tǒng)的Cr單層，或Al或Al合金的單層或多層（例如，Mp/Al-Nd雙層或Mp/Al-Nd/Mo三層）而使用由Mo組成的單層的嘗試。

同時(shí)，用于驅(qū)動(dòng)平板顯示器的TFT的半導(dǎo)體層主要由非晶硅或多晶硅形成。就膜形成過程而言，非晶硅是簡(jiǎn)單的，并且生產(chǎn)成本低，但它的電可靠性沒有確保；而多晶硅由于高加工溫度而非常難以應(yīng)用到大面積的形成，且不可能確保取決于晶化過程的均勻性。

然而，在半導(dǎo)體層由氧化物組成的情況下，甚至當(dāng)它在低溫下形成時(shí)，也可以獲得高遷移率，而且電阻的改變大，與氧含量成比例，從而非常易于得到所需的性質(zhì)。因此，將它應(yīng)用于TFT受到極大的關(guān)注。

例如，嘗試使用一種制造下述TFT的方法以形成TFT陣列的布線，該TFT使用包括Mo金屬膜/金屬氧化物膜的雙層。為此，需要能夠選擇性地僅蝕刻Mo金屬膜而不侵蝕下部金屬氧化物的技術(shù)。

就此而言，韓國(guó)專利申請(qǐng)公布10-2010-0082094公開了蝕刻劑組合物，該蝕刻劑組合物用于Cu膜、Cu合金膜、Ti膜、Ti合金膜、Mo金屬膜、Mo合金膜或包括它們的層疊的多層膜。該蝕刻劑組合物包含選自過硫酸鈉、過硫酸鉀及它們的混合物的過氧化物，氧化劑，含氟化合物，添加劑和去離子水。此外，韓國(guó)專利申請(qǐng)公布10-2007-0005275公開了濕蝕刻劑組合物，該濕蝕刻劑組合物適用于包括Mo、Al、Mo合金或Al合金的單層或多層，該蝕刻劑組合物包含磷酸、硝酸、無機(jī)磷酸鹽類化合物或無機(jī)硝酸鹽類化合物以及余量的水（H2O）。

然而，因?yàn)樵谥圃焓褂冒∕o金屬膜/金屬氧化物膜的雙層的TFT的方法中，在蝕刻Mo金屬膜時(shí)，存在對(duì)下部金屬氧化物的侵蝕的擔(dān)憂，所以這些蝕刻劑組合物是有問題的。

[引文列表]

[專利文件]

韓國(guó)專利申請(qǐng)公布10-2010-0082094

韓國(guó)專利申請(qǐng)公布10-2007-0005275

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明牢記在相關(guān)技術(shù)中所遇到的上述問題，而且本發(fā)明的目的是提供蝕刻劑組合物、使用所述蝕刻劑組合物形成布線的方法以及制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，其中，在用于形成TFT陣列的布線的包括Mo金屬膜/金屬氧化物膜的雙層中，所述蝕刻劑組合物可以使對(duì)下部金屬氧化物膜的侵蝕最小化、對(duì)于上部Mo金屬膜可以形成具有優(yōu)異線性的錐形輪廓并可以選擇性地僅蝕刻上部Mo金屬膜。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了蝕刻劑組合物，包含：（A）5.0～25.0wt%的過氧化氫（H₂O₂）；（B）1.0～5.0wt%的pH調(diào)節(jié)劑；以及（C）余量的水，其中，在包括Mo金屬膜/金屬氧化物膜的雙層中，上部Mo金屬膜被所述蝕刻劑組合物蝕刻。

此外，本發(fā)明提供形成液晶顯示器的布線的方法，所述方法包括：（I）在基板上形成金屬氧化物膜；（II）在所述金屬氧化物膜上形成Mo金屬膜；（III）選擇性地將光敏材料留在所述Mo金屬膜上；以及（IV）使用蝕刻劑組合物蝕刻所述Mo金屬膜，其中，基于所述組合物的總重量，所述蝕刻劑組合物包含：（A）5.0～25.0wt%的過氧化氫（H₂O₂）；（B）1.0～5.0wt%的pH調(diào)節(jié)劑和（C）余量的水。