[發明專利]一種低通濾波器有效
| 申請號: | 201310471073.4 | 申請日: | 2013-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN103513314A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 顧培夫;艾曼靈;金波;張梅驕 | 申請(專利權)人: | 杭州科汀光學技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/20 | 分類號: | G02B5/20;G02B5/30;G02B1/10;B32B9/04 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 311100 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濾波器 | ||
1.一種低通濾波器,其特征在于,包括沿光路方向依次設置的第一石英晶體片、四分之一波片、第二石英晶體片,其中,在所述第一石英晶體片的光線入射側表面上鍍有紅外截止膜,在所述第二石英晶體片的光線出射側表面上鍍有受抑波長漂移膜。
2.根據權利要求1所述的低通濾波器,其特征在于,所述的紅外截止膜包括交替分布的高折射率層和低折射率層,所述的高折射率層為Ti3O5層、Nb2O5層或ZnS層,所述的低折射率層為SiO2層。
3.根據權利要求1或2所述的低通濾波器,其特征在于,所述的紅外截止膜包括總數為44層,且為交替分布的高折射率層Ti3O5和低折射率層SiO2,其中,從第一石英晶體片開始各層的厚度依次為12.63、35.09、76.55、9.28、29.64、340.5、97.77、133.0、88.22、128.9、87.1、127.4、86.4、127.6、85.39、129.0、84.36、131.5、84.0、133.8、83.17、136.7、84.19、142.5、91.87、162.5、113.8、176.3、104.2、160.3、109.6、180.9、114.0、167.8、103.1、170.8、116.6、180.4、109.0、153.8、18.6、6.91、70.51、79.14,單位為nm。
4.根據權利要求1所述的低通濾波器,其特征在于,所述的受抑波長漂移膜包括從所述第二石英晶體片向外依次設置的第一匹配膜系、主膜系和第二匹配膜系,其中,所述的第一匹配膜系包括交替分布的低折射率層SiO2和高折射率層Ti3O5,所述的主膜系包括交替分布的低折射率層SiO2和高折射率層Ti3O5,所述的第二匹配膜系包括交替分布的高折射率層Ti3O5和低折射率層SiO2以及插在高折射率層Ti3O5和低折射率層SiO2之間的中間折射率層Ta2O5或HfO2。
5.根據權利要求4所述的低通濾波器,其特征在于,所述的第一匹配膜系中低折射率層SiO2的厚度為16~318nm,所述的第一匹配膜系中高折射率層Ti3O5的厚度為15~165nm;
所述的主膜系中低折射率層SiO2的厚度為48~93nm,所述的主膜系中高折射率層Ti3O5的厚度為274~295nm;
所述的第二匹配膜系中高折射率層Ti3O5的厚度為29nm~135nm,所述的第二匹配膜系中低折射率層SiO2的厚度為22nm~113nm,所述的第二匹配膜系中中間折射率層Ta2O5或HfO2的厚度為80~85nm。
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