[發明專利]圖形化光刻膠層的形成方法、晶圓級芯片封裝方法

在審

• 申請號: 201310463712.2
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN104516194A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 陳福成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;H01L21/3105;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種圖形化光刻膠層的形成方法，其特征在于，包括：

在基底上涂敷第一粘度的第一光刻膠征層，所述第一粘度小于100cp；

在所述第一光刻膠層上涂敷第二粘度的征第二光刻膠層，所述第二粘度大于第一粘度；

對所述第二光刻膠層和第一光刻膠層進行曝光；

曝光之后進行顯影，以形成圖形化光刻膠層。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在涂敷所述第一光刻膠層之后、涂敷所述第二光刻膠層之前，還包括：對所述第一光刻膠層進行第一軟烘。

3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在涂敷所述第二光刻膠層之后、進行所述曝光之前，還包括：對所述第二光刻膠層進行第二軟烘。

4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一粘度為10至50cp。

5.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二粘度為50至1000cp。

6.一種基于硅通孔技術的晶圓級芯片封裝方征法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有正面和背面；

在所述基底的背面形成通孔；

形成覆蓋在基底背面、以及通孔的底部和側壁上的再布線材料層；

利用權利要求1所述的方法形成圖形化光刻膠層，所述圖形化光刻膠層覆蓋在所述再布線材料層上方、填充在所述通孔內，所述圖形化光刻膠層具有露出所述再布線材料層、并位于所述通孔外的第一開口；

以所述圖形化光刻膠層為掩模，對所述再布線材料層進行刻蝕，以形成多個間隔的再布線。

7.根據權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述第一粘度為10至50cp。

8.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述涂敷第一粘度的第一光刻膠層的工藝參數包括：所述基底的轉速為1000至4000rpm，所述第一光刻膠層的厚度為0.3至5微米。

9.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述第一軟烘的工藝參數包括：溫度為80至150℃，時間為30至90s。

10.根據權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述第二粘度為50至1000cp。

11.根據權利要求10所述的封裝方法，其特征在于，所述涂敷第二粘度的第二光刻膠層的工藝參數包括：所述基底的轉速為500至3000rpm，所述第二光刻膠層的厚度為1至100微米。

12.根據權利要求10所述的封裝方法，其特征在于，所述第二軟烘的工藝參數包括：溫度為80至150℃，時間為60至240s。

13.根據權利要求6的封裝方法，其特征在于，所述通孔的深寬比大于等于5。

14.根據權利要求6的封裝方法，其特征在于，形成所述再布線材料層之前，還包括：形成覆蓋所述基底背面及通孔側壁的絕緣層。

15.根據權利要求6的封裝方法，其特征在于，還包括：

去除所述圖形化光刻膠層之后，形成覆蓋所述再布線、填充滿所述通孔及相鄰兩個再布線之間間隙的絕緣層；

對所述絕緣層進行圖形化，以在所述絕緣層內形成露出所述再布線的第二開口；

在所述第二開口下方的再布線上形成焊球。