[發(fā)明專利]一種OLED器件及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310462670.0
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103474586A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設計）人: 李艷青;歐清東;唐建新;周雷
• 申請（專利權）人: 蘇州大學張家港工業(yè)技術研究院
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術領域

本發(fā)明涉及OLED器件技術領域，具體涉及了一種OLED器件及其制作方法。

背景技術

OLED器件（Organic?Light-Emitting?Diode，有機發(fā)光二極管）具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當電流通過時，有機材料就會發(fā)光，具有超輕薄（面板厚度小于2mm）、主動發(fā)光、廣視角（達（170°以上）、反應時間快（1μm數量級）、低能耗、可制作大尺寸與可彎曲式面板燈優(yōu)點，被認為是繼CRT、LCD之后的新一代照明和顯示技術。

OLED器件的發(fā)光效率可以分為其量子效率、流明效率和功率效率。其中，量子效率是器件向外發(fā)射的光子數與注入的電子空穴對數量之比。量子效率又分為內量子效率（internal?quantum?efficiency）和外量子效率（external?quantum?efficiency）。隨著新型磷光材料的應用，OLED的內量子效率已經接近100%，然而由于受到襯底/空氣界面以及電荷傳輸層/發(fā)光層界面的全反射現象而引發(fā)的嚴重波導效應，OLED外量子提取效率通常只能達到20%左右，這很大程度上限制了OLED的實際應用。為此，如何提高OLED外量子效率成為該領域內的熱點，研究方向也從重點改進材料轉向改進器件結構以提高外量子效率。

通常，現有提高外量子效率的方法主要包括基底粗糙化、微透鏡技術，都被應用在玻璃基板的背面來抵消部分玻璃的陷光。但是這些方法操作繁瑣，制作成本比較高，而且有些還會對OLED發(fā)出的光產生影響，導致光譜漂移以及光譜角度依賴等問題。

公開號為CN102484209A、申請人為日本住友公司的中國發(fā)明專利公開了一種有機場致發(fā)光元件，在發(fā)光層中制作二維周期性結構，從而提高OLED的出光效率，然而該專利具有較多缺陷：（1）、在制作二維周期性結構時，其實用的是硬質壓模，即硬納米壓印技術，該技術難以實現10nm線寬以下微納結構的精確轉移，硬納米壓印技術的嚴重缺陷在于會在壓印過程造成界面結構的破壞，形成污點，最終導致OLED開啟電壓升高，縮短OLED壽命，也就是說，該專利提升OLED出光效率是以犧牲OLED壽命為代價的；（2）、硬質壓膜在制作時，一方面受本身幅面的限制，另一方面，在脫模過程中，接觸面積越大，較容易產生在壓模和待壓物表面之間出現粘連，因此硬納米壓印技術無法實現大尺寸幅面的壓印工藝；（3）該專利特指周期性結構，周期性微納結構的引入對于OLED容易造成顏色漂移，特別是對于白光OLED，周期性光柵結構容易造成色散和譜帶漂移。

此外，公開號為CN102844904A、申請人為美國3M創(chuàng)新有限公司的中國發(fā)明專利公開了一種具有內部納米結構和外部微結構的OLED光提取膜，利用納米結構來有效增強光提取的方法，并有效地減小了光輸出中的亮度和色彩的角度不均勻性。但是這種采用光提取膜來提高OLED出光效率的方法受工藝本身限制，如果要在更小的精度或者更大的幅面上制作光提取結構，將會相對繁瑣，制作成本較高，操作周期長等問題。

與本申請最為接近現有技術為本關聯申請人的一項在先申請，公開號為CN103219476A的中國發(fā)明專利，其具體公開了一種有機電致發(fā)光二極管及其制作方法，該制作方法通過納米軟壓印技術，在OLED器件的電子傳輸層與發(fā)光層之間，或者空穴傳輸層和發(fā)光層之間形成準周期或非周期的光提取結構，有效地提高了OLED的出光效率。在該專利中，由于制作的壓膜為軟質材料的壓膜，不僅可以減少壓印圖案的關鍵尺寸，而且還能實現大幅面的壓印工作，同時由于設計出了準周期或非周期的壓印圖案，在提高OLED出光效率同時，不會造成OLED發(fā)光光譜漂移。但是隨著本申請發(fā)明人的進一步實驗研究發(fā)現，當光線從器件內部通過該專利公開的光提取結構時，由于折射率差異的存在，光線在電子傳輸層與發(fā)光層之間或者空穴傳輸層和發(fā)光層之間的交界面處會發(fā)生散射，進而使得被限制的光可以穿越到襯底中，然而當光線到達襯底中后，由于空氣與襯底同樣具有較大的折射率差異，波導效應很強，大部分光仍然會被限制在襯底中，因而導致對于OLED外量子提取效率的提高是比較有限的，而且該專利技術采用在OLED器件內部設置光提取結構的制作工藝較為復雜，成本較高。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種OLED器件及其制作方法，不僅有效提高OLED器件的外量子提取效率，而且制作工序簡單、成本低。

為了實現上述目的，本發(fā)明提供的技術方案如下：