[發(fā)明專利]一種用于薄膜太陽能電池的濺射靶

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310460875.5
• 申請日: 2013-10-08
• 公開（公告）號(hào): CN103469170A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李曉常
• 申請（專利權(quán)）人: 江西冠能光電材料有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鈉鹽靶材，其特征在于選用的鈉鹽由如下組成構(gòu)成：

1）一種鈉鹽通式為NaX，X=F,?Cl,?Br,?I.

2）一種鈉鹽通式為Na₂Y，Y=O,?S,?Se.

3）一種鈉鹽通式為NaBO₃.

一種或者一種以上1），2），3）的混合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈉鹽靶材，其特征在于鈉鹽靶材中包括5%?至?95%?重量的IIIA-VI族元素半導(dǎo)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈉鹽靶材，其特征在于IIIA-VI族元素半導(dǎo)體優(yōu)先選用以下幾種如In₂S₃,?Ga₂S₃,?In₂Se₃，Ga₂Se₃，GAl₂S₃，Al₂Se₃，InGaSe₃，InGaS₃，InAlSe₃，InAlS_3。。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈉鹽靶材，其特征在于鈉鹽靶材是使用直流或交流磁控濺射方法沉積制造半導(dǎo)體層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈉鹽靶材，其特征在于鈉鹽靶材主要用于薄膜太陽能銅銦鎵硒電池的制造工藝中。

6.一種制作薄膜太陽能電池的方法與步驟，其特征包含：

通過磁控濺射獲取沉積一導(dǎo)電電極鉬基板；

在室溫或者低溫（<180^oC）條件下，通過磁控濺射獲取在基板電極鉬膜上形成一混合前驅(qū)體覆蓋層，所述前驅(qū)體是由產(chǎn)物理想量比的IB族、ⅢA族和ⅣA族元素組成；

通過磁控濺射權(quán)利要求一所示的鈉鹽靶材，獲取在混合前驅(qū)體覆蓋層上一鈉鹽覆蓋頂層，所述鈉鹽覆蓋頂層厚度為5-200鈉米；

在無氧氣氛下加熱到320-600^?oC退火反應(yīng)，形成良好晶型的IB-IIIA-VIA半導(dǎo)體吸收層。