[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310456895.5
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104518119A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;張振華
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括陽極導(dǎo)電基板以及在陽極導(dǎo)電基板上依次層疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光功能層、金屬陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括在金屬陰極上依次層疊設(shè)置的氮氧化鍺層、第一阻擋層和第二阻擋層；所述氮氧化鍺層的材料為鍺氧氮化合物；所述第一阻擋層的材料為氯摻雜的R₂O₃，其中R為ⅢA族元素；所述第二阻擋層的材料為氯摻雜的氧化鈦、氯摻雜的氧化鋯和氯摻雜的氧化鉿中的一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮氧化鍺層厚度為150nm～200nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一阻擋層厚度為15nm～20nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二阻擋層厚度為15nm～20nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮氧化鍺層、第一阻擋層和第二阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，所述封裝層為3～5個(gè)基本結(jié)構(gòu)層疊而成。

6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形；

（2）通過真空蒸鍍的方式在陽極導(dǎo)電基板上依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和金屬陰極，蒸鍍速率為真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa；

（3）封裝層的制備方法如下：

（a）通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方式在金屬陰極表面制備氮氧化鍺層，采用六甲基二鍺胺、NH₃和O₂為反應(yīng)氣體，以Ar氣為載氣，控制六甲基二鍺胺流量為6～14sccm，Ar流量70～80sccm，NH₃流量2～18sccm，O₂流量2～18sccm，控制工作壓強(qiáng)為10～80Pa，沉積溫度為30～60℃，射頻功率為0.1～1W/cm²；

（b）通過原子層沉積的方式在氮氧化鍺層表面制備第一阻擋層，所述第一阻擋層的材料氯摻雜的R₂O₃，其中R為ⅢA族元素；采用R(CH₂Cl)₃和水蒸氣作為前驅(qū)物，其中R為ⅢA族元素，N₂作為凈化氣體；控制R(CH₂Cl)₃和水蒸氣分別注入10～20ms，兩者之間間隔5～10s的N₂，流量均為10～20sccm，控制工作壓強(qiáng)為10～80Pa，沉積溫度為40～60℃；

（c）通過原子層沉積的方式在第一阻擋層表面制備第二阻擋層，所述第二阻擋層的材料為氯摻雜的氧化鈦、氯摻雜的氧化鋯和氯摻雜的氧化鉿中的一種，分別采用四（二氯甲基胺基）鈦、四（二氯甲基胺基）鋯、四（二氯甲基胺基）鉿和水蒸氣作為前驅(qū)物，N₂作為凈化氣體；控制金屬胺基物注入0.2～1s，水蒸氣注入20～40ms，兩者之間間隔5～10s的N₂，流量均為10～20sccm，控制工作壓強(qiáng)為10～80Pa，沉積溫度為40～60℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述步驟（a）中氮氧化鍺層的沉積厚度為150nm～200nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述步驟（b）中第一阻擋層的沉積厚度為15nm～20nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述步驟（c）中第二阻擋層的沉積厚度為15nm～20nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，在所述步驟（c）后采用和步驟（a）相同的方法和材料在第二阻擋層上制備氮氧化鍺層，再在所述氮氧化鍺層上采用步驟（b）相同的方法和材料制備第一阻擋層，在所述的第一阻擋層上采用和步驟（c）相同的方法和材料制備第二阻擋層，所述氮氧化鍺層、第一阻擋層和第二阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備得到3～5個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成的封裝層。