[發明專利]晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201310455830.9
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104517844B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 童浩;嚴琰;曾以志
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成柵介質層；

在所述柵介質層上形成柵極；

在所述柵介質層和所述柵極兩側形成偏移間隙壁；

以所述偏移間隙壁為掩模，對所述柵極兩側的半導體襯底進行離子注入，形成輕摻雜區，所述柵介質層兩側具有損壞區；

去除所述柵介質層中的損壞區；

修補所述柵介質層至預定尺寸；

在所述柵介質層和所述柵極兩側形成側墻；

以所述側墻及所述柵極為掩模，對所述柵極兩側的半導體襯底進行離子注入，形成重摻雜區。

2.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述預定尺寸大于或者等于所述柵介質層的最初尺寸。

3.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除所述柵介質層中的損壞區。

4.如權利要求3所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的溶液為稀氫氟酸溶液，所述濕法刻蝕的時間范圍包括10s～30s。

5.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，采用流體化學氣相沉積法修補所述柵介質層。

6.如權利要求5所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述流體化學氣相沉積法采用的溫度范圍包括20℃～65℃，壓強范圍為100Torr～600Torr，射頻功率范圍為50W～500W，沉積時間范圍為2s～200s。

7.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，采用臭氧氧化法修補所述柵介質層。

8.如權利要求7所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述臭氧氧化法的溫度范圍為200℃～550℃，射頻功率范圍為50W～500W，氧化時間范圍為1s～200s。

9.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵介質層的厚度范圍包括長度范圍包括40nm～100nm，被去除掉的所述柵介質層長度范圍為20～60nm。

10.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，在形成所述輕摻雜區時，采用傾角離子注入工藝對所述柵極兩側的半導體襯底進行離子注入，所述傾角離子注入工藝中傾角角度范圍包括10°～40°，所述離子濃度范圍包括1E10atom/cm²～1E15atom/cm²，采用的電壓范圍為1KV～5KV。