[發(fā)明專利]自組裝單層原位氣相沉積作為銅助粘劑及擴(kuò)散阻障件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310455370.X
• 申請(qǐng)日: 2013-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN104517893A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 童津泓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包含：

在介電層中形成通孔；

在該通孔中形成第一阻障層；

在該通孔中形成銅區(qū)域；

在該銅區(qū)域上方沉積第二阻障層；以及

在該第二阻障層上方沉積覆蓋層；

其中，沉積該第二阻障層包含在化學(xué)氣相沉積工具室中沉積自組裝單層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在該第二阻障層上方沉積該覆蓋層是在該化學(xué)氣相沉積工具室中予以進(jìn)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在該第二阻障層上方沉積該覆蓋層包含沉積硅碳化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積該自組裝單層包含沉積氨基硅烷。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，沉積該氨基硅烷包含沉積H2NCH2CH2CH2Si(OCH3)3。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，沉積該氨基硅烷包含沉積H2NCH2CH2CH2Si(OC2H5)3。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，沉積該氨基硅烷包含沉積(3-氨基丙基)二甲基乙氧基硅烷。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，沉積該氨基硅烷包含沉積N-(2-氨乙基)-3-氨基丙基三甲氧硅烷。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，沉積該氨基硅烷包含沉積(3-二甲氧基甲硅烷基丙基)二乙撐三氨。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，沉積該氨基硅烷包含沉積4-氨基苯基三甲氧硅烷。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，沉積該氨基硅烷包含沉積苯基氨基-甲基三甲氧基硅烷。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積該自組裝單層包含沉積巰基硅烷。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，沉積該巰基硅烷包含沉積3-巰基丙基三甲氧基硅烷。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，沉積該巰基硅烷包含沉積3-巰基丙基三乙氧硅烷。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，沉積該巰基硅烷包含沉積3-巰基丙基甲基二甲氧基硅烷。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積該自組裝單層包含沉積有機(jī)硅烷。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一阻障層是由與該第二阻障層具有相同材料的材料所組成。

18.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包含：

在介電層中形成通孔；

在該通孔中形成第一阻障層；

在該通孔中形成銅區(qū)域；

在該銅區(qū)域上方沉積第二阻障層；以及

在該第二阻障層上方沉積覆蓋層；

其中，沉積該第二阻障層包含在原子層沉積工具室中沉積自組裝單層。

19.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包含：

在介電層中形成通孔；

在該通孔中形成第一阻障層；

在該通孔中形成銅區(qū)域；

在該銅區(qū)域上方沉積第二阻障層；以及

在該第二阻障層上方沉積覆蓋層；

其中，沉積該第二阻障層包含在等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工具室中沉積自組裝單層。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，在該第二阻障層上方沉積覆蓋層是在該等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工具室中予以進(jìn)行。