[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310451403.3 | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN104518098A | 公開(公告)日: | 2015-04-15 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子器件相關領域,尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制備幾十納米厚的有機發光材料作發光層,發光層上方有低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時,發光層就產生光輻射。
OLED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點,被業內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術,OLED技術在過去的十多年里發展迅猛,取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發,大大的推動了OLED的產業化進程,使得OLED產業的成長速度驚人,目前已經到達了大規模量產的前夜。
柔性產品是有機電致發光器件的發展趨勢,但目前普遍存在壽命短,因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。傳統技術中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝,其邊沿用紫外聚合樹脂密封,但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大,增加了器件的重量,并且該方法不能應用于柔性有機電致放光器件的封裝。
發明內容
為克服上述現有技術的缺陷,本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法。該有機電致發光器件可有效地減少水汽、氧對有機電致發光器件的侵蝕,保護有機電致發光器件的有機功能材料和電極免遭破壞,對柔性OLED器件的壽命有顯著的提高。本發明方法適用于封裝以導電玻璃基板制備的有機電致發光器件,也適用于封裝以塑料或金屬為基底制備的柔性有機電致發光器件。本發明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發光器件。
一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括依次層疊的陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和封裝層,所述陽極導電基板和封裝層形成封閉空間,所述空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層容置在所述封閉空間內,所述封裝層包括依次層疊的保護層、硒化物層、有機硅層和聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜;
所述保護層的材質為酞菁銅(CuPc)、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺(NPB)、八羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化硅(SiO)、氟化鎂(MgF2)或硫化鋅(ZnS);
所述硒化物層的材質為硒化銻(Sb2Se3)、硒化鉬(MoSe2)、硒化鉍(Bi2Se3)、二硒化鈮(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)或硒化亞銅(Cu2Se);
所述有機硅層的材質為聚[(3-(二(三氟甲基)(甲氧基)硅基)丙基)二(三氟甲基)(甲基)硅烷]、聚[(3-(二(五氟乙基)(甲氧基)硅基)丙基)二(五氟乙基)(甲基)硅烷]或聚[(3-(二(七氟丙基)(甲氧基)硅基)丙基)二(七氟丙基)(甲基)硅烷]。
優選地,保護層的厚度為200nm~300nm。
保護層的存在可以保護陰極在后續操作過程中免遭破壞。
所述硒化物層化學性質穩定,防水氧能力強。
所述有機硅層中的材質同時具有有機物和無機物的性質,使有機硅層具有良好的水氧阻隔性,同時可以吸收和分散層與層之間的應力,避免致密的硒化物層產生裂痕而降低封裝層的阻擋性能,這對于柔性有機電致發光器件特別重要,同時有機硅層具有質量輕、制備簡便等優點。
本發明所述封裝層中有機硅層和硒化物層層疊,可以提高封裝層的阻擋性能,延長了水、氧滲透路徑,可以達到優良的封裝效果,有效減少外部水、氧等活性物質對有機電致發光器件的侵蝕,彌補了單一硒化物層和單一有機硅層的缺點,延長器件壽命。
優選地,所述硒化物層的厚度為100nm~150nm。
優選地,所述有機硅層的厚度為1μm~1.5μm。
優選地,所述陽極導電基板為導電玻璃基板或導電有機薄膜基板。
更優選地,所述陽極導電基板為氧化銦錫(ITO)導電玻璃基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





