[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器件以及存儲(chǔ)器件和存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310446955.5
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN104103320B
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹賢洙;權(quán)奇昌
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C17/16
• 分類號(hào): G11C17/16;G11C29/44
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

一種存儲(chǔ)器件的操作方法包括以下步驟：進(jìn)入修復(fù)模式；接收激活命令和故障地址，并且暫時(shí)儲(chǔ)存接收的命令和地址；接收寫入命令，并且判定是否執(zhí)行編程操作；當(dāng)判定出要執(zhí)行編程操作時(shí)，將暫時(shí)儲(chǔ)存的故障地址編程到可編程儲(chǔ)存單元中；以及在暫時(shí)儲(chǔ)存的故障地址的編程完成之前接收預(yù)充電命令。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2013年4月4日提交的申請?zhí)枮?0-2013-0036707的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)技術(shù)，更具體而言，涉及一種與用于存儲(chǔ)器件的修復(fù)操作相關(guān)的技術(shù)。

背景技術(shù)

圖1是用于解釋在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器件（例如，DRAM）中的修復(fù)操作的框圖。

圖1說明與在存儲(chǔ)器件內(nèi)部的一個(gè)存儲(chǔ)體相對(duì)應(yīng)的配置。參見圖1，存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)器單元陣列110、行電路120、以及列電路130。存儲(chǔ)器單元陣列110包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元。行電路120被配置成當(dāng)行激活信號(hào)RACT被激活時(shí)將通過行地址R_ADD選中的行（或字線）使能，所述行激活命令RACT響應(yīng)于激活命令而被激活以使能存儲(chǔ)器單元陣列110中的字線、并且響應(yīng)于預(yù)充電命令而被去激活以禁止字線。列電路130被配置成當(dāng)內(nèi)部讀取命令RD或者內(nèi)部寫入命令WR被激活時(shí)存?。ɡ?，讀取或?qū)懭耄┩ㄟ^列地址C-ADD選中的列（或者位線）的數(shù)據(jù)。

行熔絲電路140被配置成將與存儲(chǔ)器單元陣列110內(nèi)的有缺陷的存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的行地址作為修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD儲(chǔ)存。行比較器150被配置成將儲(chǔ)存在行熔絲電路140中的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD與從存儲(chǔ)器件外部輸入的行地址R_ADD進(jìn)行比較。當(dāng)修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD與行地址R_ADD一致時(shí)，行比較器150控制行電路120以使能冗余字線而不是由行地址R_ADD表示的字線。即，與儲(chǔ)存在行熔絲電路140中的修復(fù)行地址REPAIR_R_ADD相對(duì)應(yīng)的行用存儲(chǔ)器單元陣列110內(nèi)的冗余行來替換。

這里，DQs表示數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)焊盤。

照慣例，激光熔絲主要用作熔絲電路140。激光熔絲根據(jù)熔絲是否被切斷來儲(chǔ)存邏輯高或邏輯低數(shù)據(jù)。激光熔絲可以在晶圓狀態(tài)下被編程，并且不可以在晶圓被安裝在封裝體中之后被編程。此外，因?yàn)榫€節(jié)距（pitch）的限制，激光熔絲不可以用小的電路面積來設(shè)計(jì)。

為了克服這種問題，如在US專利號(hào)為6904751、6777757、6667902、7173851以及7269047的專利中公開的包括電熔絲（E-熔絲）陣列電路、NAND快閃存儲(chǔ)器、NOR快閃存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）、自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-MRAM）、阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM）、或者相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PCRAM）的可編程儲(chǔ)存單元被設(shè)置在存儲(chǔ)器件內(nèi)，并且修復(fù)信息（例如，故障地址）被儲(chǔ)存在可編程的儲(chǔ)存單元中。

圖2是說明包括一種用于儲(chǔ)存修復(fù)信息的可編程儲(chǔ)存單元的存儲(chǔ)器件的框圖。

參見圖2，存儲(chǔ)器件包括：多個(gè)存儲(chǔ)體BK0至BK3、多個(gè)寄存器210_0至210_3、以及可編程儲(chǔ)存單元201，所述多個(gè)寄存器210_0至210_3針對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)體BK0至BK3而被提供以儲(chǔ)存修復(fù)信息。

可編程儲(chǔ)存單元201替代圖1中所示的熔絲電路140?？删幊虄?chǔ)存單元201儲(chǔ)存與存儲(chǔ)體BK0至BK3相對(duì)應(yīng)的修復(fù)信息，例如故障地址?？删幊虄?chǔ)存單元201可以包括：E-熔絲陣列電路、NAND快閃存儲(chǔ)器、NOR快閃存儲(chǔ)器、MRAM、STT-MRAM、ReRAM、以及PCRAM中的任意一種。