[發明專利]阻變存儲器

有效

• 申請號: 201310444816.9
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN103680604B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: M·A·范布斯科克
• 申請（專利權）人: ADESTO技術公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種存儲單元，包括：

第一阻變元件，所述第一阻變元件包括第一高電阻狀態和第一低電阻狀態并且具有第一端子和第二端子；

第二阻變元件，所述第二阻變元件包括第二高電阻狀態和第二低電阻狀態并且具有第一端子和第二端子；和

晶體管，所述晶體管包括第一端子、第二端子和第三端子，所述晶體管的第一端子耦合至所述第一阻變元件的第一端子、所述晶體管的第二端子耦合至所述第二阻變元件的第一端子、所述晶體管的第三端子耦合至字線，其中所述第一阻變元件和所述第二阻變元件的第一端子是陽極端子或陰極端子，其中所述第一阻變元件和所述第二阻變元件的第二端子是陰極端子或陽極端子，其中所述晶體管的第一和第二端子二者均耦合至所述第一阻變元件和所述第二阻變元件的陽極端子或均耦合至所述第一阻變元件和所述第二阻變元件的陰極端子。

2.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述晶體管被配置為將所述第一阻變元件的第一端子和所述第二阻變元件的第一端子分流從而同時編程所述第一阻變元件和擦除所述第二阻變元件。

3.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第一阻變元件的第二端子耦合至第一位線，其中所述第二阻變元件的第二端子耦合至第二位線。

4.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第一阻變元件被配置為具有與所述第二阻變元件相反的電阻狀態。

5.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述晶體管是雙極晶體管。

6.如權利要求5所述的存儲單元，其特征在于，所述晶體管的第一端子是第一發射極/集電極，其中所述晶體管的第二端子是第二發射極/集電極，且其中所述晶體管的第三端子是基極。

7.如權利要求5所述的存儲單元，其特征在于，所述雙極晶體管是NPN晶體管，其中所述第一阻變元件的第一端子是所述第一阻變元件的陽極端子，且其中所述第二阻變元件的第一端子是所述第二阻變元件的陽極端子。

8.一種存儲單元，包括：

具有第一端子和第二端子的第一阻變元件；

具有第一端子和第二端子的第二阻變元件；和

具有第一端子、第二端子和第三端子的三端子晶體管，所述三端子晶體管的第一端子耦合至所述第一阻變元件的第一端子、所述三端子晶體管的第二端子耦合至所述第二阻變元件的第一端子、所述三端子晶體管的第三端子耦合至字線，其中所述晶體管是PNP晶體管，其中所述第一阻變元件的第一端子是所述第一阻變元件的陰極端子，且其中所述第二阻變元件的第一端子是所述第二阻變元件的陰極端子。

9.一種存儲單元，包括：

具有陰極端子和陽極端子的第一阻變元件；

具有陰極端子和陽極端子的第二阻變元件；和

雙極晶體管，其具有第一發射極/集電極、第二發射極/集電極、和基極，所述第一發射極/集電極耦合至所述第一阻變元件的陰極端子，所述第二發射極/集電極耦合至所述第二阻變元件的陰極端子，所述基極耦合至字線，所述第一阻變元件的陽極端子耦合至位線對的第一位線，所述第二阻變元件的陽極端子耦合至所述位線對的第二位線，所述存儲單元配置為存儲第一或第二存儲狀態。

10.如權利要求9所述的存儲單元，其特征在于，所述雙極晶體管是PNP晶體管。

11.如權利要求9所述的存儲單元，其特征在于，所述雙極晶體管是NPN晶體管。

12.如權利要求9所述的存儲單元，其特征在于，所述第一阻變元件被配置為具有與所述第二阻變元件相反的電阻狀態。