[發明專利]低電源電壓的開關架構

有效

• 申請號: 201310438529.7
• 申請日: 2013-09-24
• 公開（公告）號: CN103684379B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: V·米什拉;R·希納卡蘭
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種用于連接在輸入和輸出節點之間的采樣CMOS開關，包括：

在所述輸入和輸出節點之間串聯的第一和第二NMOS器件，所述第一和第二NMOS器件由采樣信號激活；以及

在所述輸入和輸出節點之間以T型結構連接的一對擴展型漏極MOS器件，所述一對擴展型漏極MOS器件由反相采樣信號激活；

其中所述第一和第二NMOS器件是具有高閾值電壓的NMOS器件并且所述一對擴展型漏極MOS器件是低壓DEPMOS器件；

其中所述DEPMOS器件是反饋電路的一部分，所述反饋電路還包括：

連接在模擬電壓源和參考電位之間的第三高壓NMOS器件和電流源，所述第三高壓NMOS器件由所述輸入節點的信號控制；以及

可操作地根據反相采樣信號的相位可切換地將所述模擬電壓源連接到所述第三高壓NMOS器件的源極和所述DEPMOS器件的柵極的開關。

2.一種用于連接在輸入和輸出節點之間的采樣CMOS開關，包括：

在所述輸入和輸出節點之間串聯的第一和第二NMOS器件，所述第一和第二NMOS器件由采樣信號激活；以及

在所述輸入和輸出節點之間以T型結構連接的一對擴展型漏極MOS器件，所述一對擴展型漏極MOS器件由反相采樣信號激活；

其中所述第一和第二NMOS器件是具有高閾值電壓的NMOS器件并且所述一對擴展型漏極MOS器件是低壓DEPMOS器件；

其中所述的低壓DEPMOS器件是反饋電路的一部分，所述反饋電路還包括：

連接在模擬電壓源和參考電位之間的第三高壓NMOS器件、第四NMOS器件和電流源，所述第三高壓NMOS器件由所述輸入節點的信號控制；

連接在所述第三高壓NMOS器件的漏極和所述第四NMOS器件的柵極之間的電平轉換器；以及

可操作地根據反相采樣信號的相位可切換地將所述模擬電壓源連接到所述第三高壓NMOS器件的源極和所述DEPMOS器件的柵極的開關。

3.一種用于連接在輸入和輸出節點之間的采樣CMOS開關，包括：

在所述輸入和輸出節點之間串聯的第一和第二MOS器件，所述第一和第二MOS器件由采樣信號激活；以及

在所述輸入和輸出節點之間以T型結構連接的一對擴展型漏極MOS器件，所述一對擴展型漏極MOS器件由反相采樣信號激活；

其中所述第一和第二MOS器件是具有高閾值電壓的NMOS器件并且所述一對擴展型漏極MOS器件是低壓DEPMOS器件；

其中所述DEPMOS器件是反饋電路的一部分，所述反饋電路還包括：

連接在模擬電壓源和參考電位之間的第三NMOS器件和第四NMOS器件，所述第三NMOS器件由在所述輸入節點的信號控制，并且所述第四NMOS器件的漏極與所述DEPMOS器件的柵極連接；

在所述模擬電壓源和參考電位之間串聯連接的第五NMOS器件、第六NMOS器件和電流源，所述第六NMOS器件的柵極被連接到所述第四NMOS器件的柵極和所述第五NMOS器件的漏極，所述第五NMOS器件的柵極連接到所述輸出節點；以及

根據反相采樣信號的相位可切換地將模擬電壓源與第六NMOS器件的漏極連接的開關，其中所述反相采樣信號被鏡像至所述一對DEPMOS器件的柵極。

4.根據權利要求3所述的采樣CMOS開關，還包括跨越所述第六NMOS器件連接的電容器。

5.根據權利要求4所述的采樣CMOS開關，還包括第七NMOS器件。

6.一種用于連接在輸入和輸出節點之間的采樣CMOS開關，包括：

在所述輸入和輸出節點之間串聯的第一和第二MOS器件，所述第一和第二MOS器件由采樣信號激活；以及

在所述輸入和輸出節點之間以T型結構連接的一對擴展型漏極MOS器件，所述一對擴展型漏極MOS器件由反相采樣信號激活；

其中所述第一和第二MOS器件是具有高閾值電壓的NMOS器件并且所述一對擴展型漏極MOS器件是低壓DEPMOS器件；

其中所述DEPMOS器件中的每個DEPMOS器件都具有低閾值電壓。